ଭଲ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ପାୱାର ଫ୍ୟାକ୍ଟର କରେକ୍ସନ କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଉନ୍ନତ ଏମ୍ବେଡେଡ୍ PCB କ୍ୟାପାସିଟର - CRE

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଭିଡିଓ

ମତାମତ (2)

"ଘରୋଇ ବଜାର ଉପରେ ଆଧାରିତ ଏବଂ ବିଦେଶରେ ବ୍ୟବସାୟ ବିସ୍ତାର କରିବା" ହେଉଛି ଆମର ଉନ୍ନତି ରଣନୀତିନୂତନ ଶକ୍ତି ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର , ଉନ୍ନତ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ , କୁଲିଂ ପାୱାର କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ, ଆମେ ଆପଣଙ୍କଠାରୁ ଶୁଣିବାକୁ ଆନ୍ତରିକ ଭାବରେ ଅପେକ୍ଷା କରିଛୁ। ଆମକୁ ଆମର ବୃତ୍ତିଗତତା ଏବଂ ଆଗ୍ରହ ଦେଖାଇବାର ସୁଯୋଗ ଦିଅନ୍ତୁ। ଦେଶ ଏବଂ ବିଦେଶର ଅନେକ ଗୋଷ୍ଠୀର ଭଲ ବନ୍ଧୁମାନଙ୍କୁ ସହଯୋଗ କରିବାକୁ ଆମେ ଆନ୍ତରିକ ଭାବରେ ସ୍ୱାଗତ କରୁଛୁ!

ଭଲ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ପାୱାର ଫ୍ୟାକ୍ଟର କରେକ୍ସନ କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଥିବା ଉନ୍ନତ ଏମ୍ବେଡେଡ୍ PCB କ୍ୟାପାସିଟର - CRE ବିବରଣୀ:

ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ଡାଟା

କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +୧୦୫℃ଉଚ୍ଚ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: +୮୫℃ନିମ୍ନ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: -୪୦℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୩~୫୦μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୨୦୦ଭି.ଏସି~୪୫୦ଭି.ଏସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	2Un DC/10S
ଅପଚୟ କାରକ	ଟିଜିδ≤0.0015f=1KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S ରେ)
ଅଗ୍ନିଶିଖା ପ୍ରତିରୋଧ	UL94V-0
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; othotspot≤70 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	ଆଇଇସି୬୧୦୭୧;
କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +୧୦୫℃ଉଚ୍ଚ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: +୮୫℃ନିମ୍ନ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: -୪୦℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୩~୫୦μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୨୦୦ଭି.ଏସି~୪୫୦ଭି.ଏସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	2Un DC/10S
ଅପଚୟ କାରକ	ଟିଜିδ≤0.0015f=1KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S ରେ)
ଅଗ୍ନିଶିଖା ପ୍ରତିରୋଧ	UL94V-0
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; othotspot≤70 ° C)

ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ

1. ଶୁଷ୍କ ଫିଲ୍ମ ନିର୍ମାଣ;
2. ଟିନ୍ ହୋଇଥିବା ତମ୍ବା ତାର ସହିତ ଲିଡ୍; ଛୋଟ ଆକାର; ସହଜ ସ୍ଥାପନ;
3. କମ ESL ଏବଂ ESR;
୪. ଉଚ୍ଚ ପଲ୍ସ କରେଣ୍ଟ।

ପ୍ରୟୋଗ

1. ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣକୁ ଫିଲ୍ଟର କରିବା ପାଇଁ DC-ଲିଙ୍କ୍ ସର୍କିଟରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ;
୨. ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ବଦଳାଇପାରେ, ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ।
3. ପିଭି ଇନଭର୍ଟର, ପବନ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତକ; ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କନଭର୍ଟର ଏବଂ ଇନଭର୍ଟର ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ;
ବିଶୁଦ୍ଧ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଏବଂ ହାଇବ୍ରିଡ୍ କାର; ଚାର୍ଜିଂ ପାଇଲ୍, UPS, ଇତ୍ୟାଦି।

ଆଉଟଲାଇନ୍ ଚିତ୍ର

ଫଫ୍‌

	(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR @10KHz (mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @୪୦℃ @୧୦KHz (A)
20	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	30	୬୦୦	12
20	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	30	୬୦୦	22
25	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୮	17	୪୨୫	12
25	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	17	୪୨୫	22
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୫	17	୫୧୦	12
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୯	17	୫୧୦	22
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୮	17	୫୧୦	25
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୩	17	୫୬୧	12
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୭	17	୫୬୧	22
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୬	17	୫୬୧	28
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୨	17	୫୯୫	12
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୬	17	୫୯୫	22
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୫	17	୫୯୫	30
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		3	17	୬୮୦	12
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୪	17	୬୮୦	22
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୩	17	୬୮୦	30
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫		୨.୮	17	୭୬୫	12
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୩	17	୭୬୫	22
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୨	17	୭୬୫	32
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫		୨.୭	17	୮୫୦	12
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୨	17	୮୫୦	22
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୧	17	୮୫୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ ୪୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଡିସି,ୟୁଆରଏମଏସ୨୫୦ ଭୋଲ୍ଟ;ୟୁଏସ୮୦୦ ଭୋଲ୍ଟ
	(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
10	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫		୨.୬	40	୪୦୦	12
10	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	2	40	୪୦୦	23
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	40	୬୦୦	28
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	40	୬୦୦	28
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୭	40	୬୦୦	28
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୨	40	୭୨୦	15
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୭	40	୭୨୦	15
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୬	40	୭୨୦	15
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୫	20	୪୦୦	25
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୯	20	୪୦୦	25
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୮	20	୪୦୦	25
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୪	20	୫୦୦	28
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୮	20	୫୦୦	28
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୭	20	୫୦୦	28
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫		୩.୨	20	୬୦୦	25
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୭	20	୬୦୦	25
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୬	20	୬୦୦	25

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ 600V.DC,Urms330Vac;Us1200V
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
5	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫		୩.୧	55	୨୭୫	12
5	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୫	55	୨୭୫	20
୬.୮	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	55	୩୭୪	12
୬.୮	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୩୭୪	22
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୬	55	୪୯୫	12
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୪୯୫	22
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୯	55	୪୯୫	28
10	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୪.୨	30	୩୦୦	22
10	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୭	30	୩୦୦	25
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୬	30	୪୫୦	12
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୮	30	୪୫୦	20
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୭	30	୪୫୦	28

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ ୭୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଡିସି,ୟୁଆରଏମଏସ୪୦୦ ଭ୍ୟାକ୍;ୟୁଏସ୧୪୦୦ ଭ୍ୟାକ୍
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୪.୭	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		3	70	୩୨୯	12
୪.୭	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୪	70	୩୨୯	22
5	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୯	70	୩୫୦	12
5	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୩	70	୩୫୦	22
6	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	70	୪୨୦	12
6	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	70	୪୨୦	22
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୪.୨	40	୩୨୦	12
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୬	40	୩୨୦	22
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୩.୫	40	୩୨୦	28
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୯	40	୪୦୦	12
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୩	40	୪୦୦	22
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୩.୨	40	୪୦୦	30
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫		୩.୬	40	୬୦୦	12
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୧	40	୬୦୦	22
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	3	40	୬୦୦	30

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୪	୧୧୦	୩୩୦	12
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	୧୧୦	୩୩୦	22
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୭	୧୧୦	୩୩୦	25
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	୧୧୦	୩୬୩	12
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୭	୧୧୦	୩୬୩	22
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୬	୧୧୦	୩୬୩	28
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୧	55	୨୨୦	12
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୫	55	୨୨୦	22
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୪	55	୨୨୦	28
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		3	55	୨୫୮.୫	12
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୪	55	୨୫୮.୫	22
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୩	55	୨୫୮.୫	30
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୨.୯	55	୩୦୮	12
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୩୦୮	22
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୨	55	୩୦୮	31
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	55	୩୩୦	12
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୫	୨.୧	55	୩୩୦	22
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	2	55	୩୩୦	32
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫		୨.୫	55	୩୭୪	12
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୯	55	୩୭୪	22
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୮	55	୩୭୪	32

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ ଚିତ୍ର:

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଉତ୍ପାଦ ଗାଇଡ୍:

ଉନ୍ନତ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ଏବଂ ସୁବିଧା, କଠୋର ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ, ଯୁକ୍ତିଯୁକ୍ତ ମୂଲ୍ୟ ଟ୍ୟାଗ୍, ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ସମର୍ଥନ ଏବଂ କ୍ରେତାମାନଙ୍କ ସହିତ ଘନିଷ୍ଠ ସହଯୋଗ ସହିତ, ଆମେ ଭଲ ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ପାୱାର ଫ୍ୟାକ୍ଟର ସଂଶୋଧନ କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ବ୍ୟବସ୍ଥା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଉନ୍ନତ ଏମ୍ବେଡେଡ୍ PCB କ୍ୟାପାସିଟର - CRE ପାଇଁ ଆମର କ୍ରେତାମାନଙ୍କ ପାଇଁ ସର୍ବୋତ୍ତମ ଲାଭ ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଉତ୍ସର୍ଗୀକୃତ ହୋଇଛୁ। ଏହି ଉତ୍ପାଦ ସାରା ବିଶ୍ୱକୁ ଯୋଗାଣ କରିବ, ଯେପରିକି: ୱେଲିଂଟନ୍, ଷ୍ଟୁଟଗାର୍ଟ, ପେରୁ, ଆମେ ଆମର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଉତ୍ପାଦ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ନିୟନ୍ତ୍ରଣରେ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସୁବିଧା ଦେଇପାରିବୁ, ଏବଂ ଆମର ଶହେ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ କାରଖାନାରୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ପରିସରର ଛାଞ୍ଚ ଅଛି। ଉତ୍ପାଦ ଦ୍ରୁତ ଅପଡେଟ୍ ହେବା ସହିତ, ଆମେ ଆମର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କ ପାଇଁ ଅନେକ ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ଉତ୍ପାଦ ବିକାଶ କରିବାରେ ସଫଳ ହେଉଛୁ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଖ୍ୟାତି ପାଇବୁ।

ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍‌ରେ ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର

ଏସି ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

କୋଷ ପ୍ରଜନନକାରୀ ପାଇଁ କ୍ୟାପାସିଟର

ଡିସି କ୍ୟାପାସିଟର କାରଖାନା

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଏସ୍ଏସ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଗ୍ଲୋବାଲ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର ଯୋଗାଣକାରୀ

ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ବିଶିଷ୍ଟ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଏହା ଏକ ସୁନାମଧନ୍ୟ କମ୍ପାନୀ, ସେମାନଙ୍କର ବ୍ୟବସାୟ ପରିଚାଳନାର ଉଚ୍ଚ ସ୍ତର, ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତା ଉତ୍ପାଦ ଏବଂ ସେବା ଅଛି, ପ୍ରତ୍ୟେକ ସହଯୋଗ ନିଶ୍ଚିତ ଏବଂ ଆନନ୍ଦିତ!

ଆଇସଲ୍ୟାଣ୍ଡରୁ ଏମାଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - ୨୦୧୭.୦୧.୨୮ ୧୯:୫୯

କାରଖାନା କର୍ମଚାରୀମାନଙ୍କର ଶିଳ୍ପ ଜ୍ଞାନ ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ଅଭିଜ୍ଞତା ସମୃଦ୍ଧ, ସେମାନଙ୍କ ସହିତ କାମ କରି ଆମେ ବହୁତ କିଛି ଶିଖିଛୁ, ଆମେ ଅତ୍ୟନ୍ତ କୃତଜ୍ଞ ଯେ ଆମେ ଏକ ଭଲ କମ୍ପାନୀର ସାମ୍ନା କରିପାରିବା ଯାହାର ଉତ୍କୃଷ୍ଟ କର୍ମଚାରୀ ଅଛନ୍ତି।

ହାଇଦ୍ରାବାଦରୁ କ୍ଲେୟାରଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - 2018.06.12 16:22