ମେଟାଲାଇଜଡ୍ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର IGBT ସ୍ନୁବର୍ କ୍ୟାପେସିଟର୍ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

1. ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ କେସ୍, ରଜନୀ ସହିତ ସିଲ୍;

2. ଟିଫିନ୍ ଧାତୁଯୁକ୍ତ ତମ୍ବା ସନ୍ନିବେଶ, IGBT ପାଇଁ ସହଜ ସ୍ଥାପନ;

3. ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍, ନିମ୍ନ tgδ, ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି;

4. କମ୍ ESL ଏବଂ ESR;

5. ଉଚ୍ଚ ନାଡ କରେଣ୍ଟ୍ |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

SMJ-P ସିରିଜ୍ |

ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ, ଏକ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପେସିଟର ଏକ ବୃହତ-କରେଣ୍ଟ ସୁଇଚିଂ ନୋଡ ସହିତ ବିଦ୍ୟୁତ ତାରର ପରଜୀବୀ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସକୁ ହ୍ରାସ କରିବା ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟରେ ସଂଯୁକ୍ତ |

ପରଜୀବୀ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ସୁଇଚ୍ ଅଫ୍ (ଯେତେବେଳେ କରେଣ୍ଟ୍ ଅବରୋଧିତ) ରେ ଏକ ବଡ଼ ବୃଦ୍ଧି ଘଟାଏ, ଏବଂ ଯଦି ଏହିପରି ସର୍ଜ୍ ଉପାଦାନ ମୂଲ୍ୟାୟନରୁ ଅଧିକ ହୁଏ, ତେବେ ଖରାପ ପରିସ୍ଥିତିରେ ଫଳାଫଳ ବିଫଳ ହେବାର ଆଶଙ୍କା ଥାଏ |

କମ୍ ଇନ୍ଦୁକାନ୍ସ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ନିର୍ମାଣ, ବ al କଳ୍ପିକ ମୋଲଡେଡ୍ ରେସିନ୍ କେସ୍ ଏବଂ କଷ୍ଟୋମାଇଜଡ୍ ଟର୍ମିନାସନ୍ ବ୍ୟବହାର କରି, SMJ-P ସିରିଜ୍ IGBTS କୁ ଶୀଘ୍ର ସୁଇଚ୍ କରିବା ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଛି ଏବଂ ସ୍ନାବର୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ୍ ହାଇ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଇନପୁଟ୍ ଫିଲ୍ଟର୍ ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରିପାରିବ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ତଥ୍ୟ |

ଭୋଲଟେଜ୍	Un 700V.DC, Urms400Vac; Us1050V \|
	ଡାଇମେନ୍ସନ୍ （mm）
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR @ 100KHz (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms @ 40 ℃ @ 100KHz (A)
0.47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0.68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5। 2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5। 3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5। 3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5। 3.5	33	230	1380	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33
ଭୋଲଟେଜ୍	Un 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V \|
	ଡାଇମେନ୍ସନ୍ （mm）
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0.68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5। 2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800	25
3.3	57.5	35	50	3.5। 3.5	28	550	1815	25
3.5। 3.5	57.5	38	54	3.5। 3.5	28	500	1750	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32
ଭୋଲଟେଜ୍	Un 1200V.DC, Urms550Vac; Us1800V \|
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms
0.47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0.68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5। 2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815	28
3.5। 3.5	57.5	38	54	3.5। 3.5	25	500	1750	28
4	57.5	42.5	56	3.5। 3.5	25	450	1800	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974	32
ଭୋଲଟେଜ୍	Un 1700V.DC, Urms575Vac; Us2250V \|
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms
0.33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0.47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0.68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5। 2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980	28
3.5। 3.5	57.5	42.5	56	3.5। 3.5	25	500	1750	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800	32
ଭୋଲଟେଜ୍	Un 2000V.DC, Urms700Vac; Us3000V \|
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms
0.22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0.33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0.47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0.68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0.68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0.82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540	32
ଭୋଲଟେଜ୍	Un 3000V.DC, Urms750Vac; Us4500V \|
Cn (μF)	L (± 1)	T (± 1)	H (± 1)	ESR (mΩ)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0.22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0.22	57.5	35	50	15	25	2000	330	20
0.33	57.5	35	50	12	24	1800	495	20
0.47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0.68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28