ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ରେଜୋନାଣ୍ଟ କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ

ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରତିଧ୍ୱନିତ କ୍ୟାପାସିଟର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଯୁକ୍ତ ଚିତ୍ର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

RMJ-MT ସିରିଜ୍ କାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ

CRE ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ରେଜୋନାଣ୍ଟ କ୍ୟାପାସିଟର ଯୋଗାଇବାରେ ସକ୍ଷମ ଯାହା ଏକ ଛୋଟ କମ୍ପାକ୍ଟ ପ୍ୟାକେଜ୍ ଆକାରରେ ବଡ଼ ଭୋଲଟେଜ ଏବଂ କରେଣ୍ଟ ପରିଚାଳନା କରେ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ଡାଟା

କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +90℃ଉଚ୍ଚ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: +85℃ନିମ୍ନ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: -40℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୧μF~୮μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୧୨୦୦ଭି.ଡିସି~୪୦୦୦ଭି.ଡିସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	୧.୫ଅନ୍ /୧୦ସେକେଣ୍ଡ
ଅପଚୟ କାରକ	tgδ≤0.001 f=1KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S ରେ)
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; othotspot≤85 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	ଆଇଇସି ୬୧୦୭୧; ଆଇଇସି ୬୦୧୧୦

ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ

1. ପ୍ଲାଷ୍ଟିକ୍ ଟ୍ୟୁବୁଲାର୍ କିମ୍ବା ମାଇଲାର୍ ଟେପ୍ ପ୍ୟାକେଜ୍, ରେଜିନ୍ ସହିତ ସିଲ୍;
2. କଷ୍ଟୋମାଇଜ୍ଡ ପରିସର;
3. କମ ESL ଏବଂ ESR;
4. ଉଚ୍ଚ ସ୍ପନ୍ଦନ କରେଣ୍ଟ;
୫. ଉଚ୍ଚ-ଆବୃତ୍ତି କରେଣ୍ଟ କ୍ଷମତା।

ପ୍ରୟୋଗ

୧. ସିରିଜ୍ / ସମାନ୍ତରାଳ ରେଜୋନାଣ୍ଟ ସର୍କିଟରେ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଡିଭାଇସଗୁଡ଼ିକରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ।

୨. ୱାୟାରଲେସ୍ ଚାର୍ଜିଂ, ଇନଭର୍ଟର ୱେଲଡର, ଇଣ୍ଡେକ୍ସନ୍ ଗରମ ଉପକରଣ ପ୍ରତିଧ୍ୱନି କାର୍ଯ୍ୟକ୍ରମ, ଇତ୍ୟାଦି।

ଆଉଟଲାଇନ୍ ଚିତ୍ର

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୧୨୦୦V.DC ଉର୍ମସ୍ ୫୦୦V.AC ୟୁପିକ୍ ୭୧୦V
ସିଏନ(ୟୁଏଫ)	φD (ମିମି)	ଲ(ମିମି)	ESR@100KHz (mΩ))	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ (୪୦℃ @ ୧୦୦KHz )	କ୍ୱେନ (କେଭାର)
୧	38	40	୪.୮	27	୯୦୦	୯୦୦	35	୧୫.୮
୧.୫	46	40	୩.୨	25	୮୦୦	୧୨୦୦	45	୨୦.୩
2	53	40	୨.୪	25	୭୫୦	୧୫୦୦	50	୨୨.୫
2	38	47	୨.୪	28	୭୨୦	୧୪୪୦	33	୧୪.୯
3	64	40	୧.୬	23	୬୮୦	୨୦୪୦	60	୨୭.୦
3	45	47	୨.୧	27	୬୨୦	୧୮୬୦	40	୧୮.୦
4	52	47	୧.୬	26	୫୫୦	୨୨୦୦	45	୨୦.୩
5	58	47	୧.୩	25	୫୦୦	୨୫୦୦	53	୨୩.୯
6	63	47	୧.୧	23	୪୫୦	୨୭୦୦	58	୨୬.୧
7	68	47	୦.୯	22	୪୫୦	୩୧୫୦	60	୨୭.୦
8	73	47	୦.୮	20	୪୦୦	୩୨୦୦	65	୨୯.୩

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୨୦୦୦V.DC ଉର୍ମସ୍ ୭୫୦V.AC ୟୁପିକ୍ ୧୦୫୦V
ସିଏନ(ୟୁଏଫ)	φD (ମିମି)	ଲ(ମିମି)	ESR@100KHz (mΩ))	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ (୪୦℃ @ ୧୦୦KHz )	କ୍ୱେନ (କେଭାର)
୧	41	40	୪.୦	27	୧୧୦୦	୧୧୦୦	38	୨୫.୭
୧.୫	50	40	୨.୭	26	୧୦୦୦	୧୫୦୦	48	୩୨.୪
2	58	40	୨.୦	25	୯୦୦	୧୮୦୦	55	୩୭.୧
2	49	60	୨.୦	26	୮୫୦	୧୭୦୦	45	୩୦.୪
3	70	40	୧.୩	23	୭୫୦	୨୨୫୦	65	୪୩.୯
3	59	60	୧.୯	25	୬୫୦	୧୯୫୦	55	୩୭.୧
4	81	40	୧.୪	22	୬୦୦	୨୪୦୦	75	୫୦.୬
4	68	60	୧.୪	23	୫୫୦	୨୨୦୦	62	୪୧.୯
5	76	60	୧.୧	22	୫୦୦	୨୫୦୦	70	୪୭.୩
6	83	60	୦.୯	21	୪୮୦	୨୮୮୦	75	୫୦.୬

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ 30000V.DC ଉର୍ମ 1200V.AC ୟୁପିକ୍ 1700V
ସିଏନ(ୟୁଏଫ)	φD (ମିମି)	ଲ(ମିମି)	ESR@100KHz (mΩ))	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ (୪୦℃ @ ୧୦୦KHz )	କ୍ୱେନ (କେଭାର)
୦.୩୩	43	44	୭.୨	26	୧୮୦୦	୫୯୪	40	୪୩.୨
୦.୪୭	51	44	୫.୫	25	୧୭୦୦	୭୯୯	48	୫୧.୮
୦.୫	53	44	୪.୮	25	୧୬୦୦	୮୦୦	50	୫୪.୦
୦.୬୮	61	44	୩.୫	24	୧୫୦୦	୧୦୨୦	56	୬୦.୫
୦.୭୫	64	44	୩.୨	24	୧୪୦୦	୧୦୫୦	60	୬୪.୮
୦.୮	66	44	୪.୦	23	୧୩୫୦	୧୦୮୦	62	୬୭.୦
୧	74	44	୩.୨	22	୧୩୦୦	୧୩୦୦	70	୭୫.୬
୧.୨	81	44	୨.୭	21	୧୨୫୦	୧୫୦୦	75	୮୧.୦
୧.୫	90	44	୨.୧	20	୧୨୦୦	୧୮୦୦	80	୮୬.୪

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୪୦୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଡିସି ଉର୍ମ ୧୫୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଏସି ୟୁପିକ୍ ୨୧୦୦ ଭୋଲ୍ଟ
ସିଏନ(ୟୁଏଫ)	φD (ମିମି)	ଲ(ମିମି)	ESR@100KHz (mΩ))	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ (୪୦℃ @ ୧୦୦KHz )	କ୍ୱେନ (କେଭାର)
୦.୦୮	46	60	୧୦.୦	28	୩୦୦୦	୨୪୦	40	୫୧.୦
୦.୧	51	60	୮.୦	27	୨୮୫୦	୨୮୫	45	୫୭.୪
୦.୧୨	56	60	୬.୬	26	୨୭୫୦	୩୩୦	50	୬୩.୮
୦.୧୫	63	60	୮.୫	25	୨୫୦୦	୩୭୫	58	୭୪.୦
୦.୧୮	64	60	୭.୧	25	୨୪୦୦	୪୩୨	60	୭୬.୫
୦.୨୫	80	60	୫.୧	23	୨୨୦୦	୫୫୦	75	୯୫.୬
୦.୩୩	52	60	୩.୯	23	୨୦୦୦	୬୬୦	48	୬୧.୨
୦.୪୭	62	60	୫.୧	22	୧୮୦୦	୮୪୬	58	୭୪.୦
୦.୫	64	60	୪.୮	22	୧୭୦୦	୮୫୦	60	୭୬.୫
୦.୬୮	75	60	୩.୫	20	୧୬୦୦	୧୦୮୮	70	୮୯.୩
୦.୭୫	78	60	୩.୨	20	୧୫୦୦	୧୧୨୫	72	୯୧.୮