ୱେଲଡିଂ ମେସିନ୍ (SMJ-TC) ପାଇଁ ହାଇ-କରେଣ୍ଟ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପେସିଟର୍ ସ୍ନାବର୍ |

ୱେଲଡିଂ ମେସିନ୍ (SMJ-TC) ବ Feat ଶିଷ୍ଟ୍ୟ ଚିତ୍ର ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଚଳଚ୍ଚିତ୍ର କ୍ୟାପେସିଟର୍ ସ୍ନବର୍ |

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

କ୍ୟାପେସିଟର୍ ମଡେଲ୍: SMJ-TC |

ବ Features ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ:

1. ତମ୍ବା ବାଦାମ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଡ୍ |

2. ଛୋଟ ଶାରୀରିକ ଆକାର ଏବଂ ସହଜ ସ୍ଥାପନ |

3. ମାଇଲାର୍ ଟେପ୍ ୱିଣ୍ଡିଂ ଟେକ୍ନୋଲୋଜି |

4. ଶୁଖିଲା ରଜନୀ ଭରିବା |

5. କମ୍ ସମାନ୍ତରାଳ ସିରିଜ୍ ଇଣ୍ଡେକ୍ସନ୍ (ESL) ଏବଂ ସମାନ୍ତରାଳ ସିରିଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ (ESR)

ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକ:

1. GTO ସ୍ନାବର୍ |

2. ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଯନ୍ତ୍ରପାତିରେ ସୁଇଚ୍ ଉପାଦାନ ପାଇଁ ପାଇକ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଏବଂ ପାଇକ୍ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଅବଶୋଷଣ ଏବଂ ସୁରକ୍ଷା |

ସୁଇଚ୍ ସର୍କିଟ୍ ରେ ବ୍ୟବହୃତ ଡାୟୋଡ୍ ପାଇଁ ସ୍ନବର୍ ସର୍କିଟ୍ ଜରୁରୀ |ଏହା ଓଭରଭୋଲଟେଜ୍ ସ୍ପାଇକ୍ ଠାରୁ ଏକ ଡାୟୋଡ୍ ସଞ୍ଚୟ କରିପାରିବ, ଯାହା ଓଲଟା ପୁନରୁଦ୍ଧାର ପ୍ରକ୍ରିୟା ସମୟରେ ଉତ୍ପନ୍ନ ହୋଇପାରେ |

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ | PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ |

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍ସ |

ଯାନ୍ତ୍ରିକ ତଥ୍ୟ |

ଅପରେଟିଂ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର \|	ସର୍ବାଧିକ ତାପମାତ୍ରା ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: + 85 pper ଉପର ବର୍ଗର ତାପମାତ୍ରା: + 85 ℃ ନିମ୍ନ ବର୍ଗର ତାପମାତ୍ରା: -40 ℃
କ୍ଷମତା ପରିସର	0.22 ～ 3μF
ରେଟେଡ୍ ଭୋଲଟେଜ୍	3000V.DC ～ 10000V.DC
Cap.tol	± 5% (J); ± 10% (K)
ଭୋଲଟେଜ୍ ପ୍ରତିରୋଧ କରନ୍ତୁ \|	1.35Un DC / 10S \|
ବିସ୍ତାର କାରକ \|	tgδ≤0.001 f = 1KHz
ଇନସୁଲେସନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20 ℃ 100V.DC 60S ରେ) C ＞ 0.33μF RS * C≥5000S (20 ℃ 100V.DC 60S ରେ)
ଷ୍ଟ୍ରାଇକ୍ କରେଣ୍ଟକୁ ପ୍ରତିରୋଧ କରନ୍ତୁ \|	ଡାଟାସିଟ୍ ଦେଖନ୍ତୁ \|
ଜୀବନ ପ୍ରତ୍ୟାଶା	100000h (Un; otsotspot≤70 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	IEC 61071;

ବ .ଶିଷ୍ଟ୍ୟ

1. ମାଇଲାର୍ ଟେପ୍, ରଜନୀ ସହିତ ସିଲ୍;

2. ତମ୍ବା ବାଦାମ ଲିଡ୍;

3. ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ୍, ନିମ୍ନ tgδ, ନିମ୍ନ ତାପମାତ୍ରା ବୃଦ୍ଧି;

4. କମ୍ ESL ଏବଂ ESR;

5. ଉଚ୍ଚ ନାଡ କରେଣ୍ଟ୍ |

ଆବେଦନ

1. GTO ସ୍ନାବର୍ |

2. ପାୱାର୍ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେତେବେଳେ ପାଇକ୍ ଭୋଲଟେଜ୍, ପାଇକ୍ କରେଣ୍ଟ୍ ଅବଶୋଷଣ ସୁରକ୍ଷା |

ସାଧାରଣ ସର୍କିଟ |

ବାହ୍ୟରେଖା ଚିତ୍ରାଙ୍କନ |

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ

Un = 3000V.DC
କ୍ଷମତା (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	35	44	52	25	1100	242	30
0.33	43	44	52	25	1000	330	35
0.47	51	44	52	22	850	399	45
0.68	61	44	52	22	800	544	55
୧	74	44	52	20	700	700	65
1.2। 1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
.0.୦	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un = 6000V.DC
କ୍ଷମତା (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	43	60	72	25	1500	330	35
0.33	52	60	72	25	1200	396	45
0.47	62	60	72	25	1000	470	50
0.68	74	60	72	22	900	612	60
୧	90	60	72	22	800	900	75

Un = 7000V.DC
କ୍ଷମତା (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.22	45	57	72	25	1100	242	30
0.68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
.0.୦	73	80	92	22	500	1500	50

Un = 8000V.DC
କ୍ଷମତା (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	35	90	102	30	1100	363	25
0.47	41	90	102	28	1000	470	30
0.68	49	90	102	28	850	578	35
୧	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un = 10000V.DC
କ୍ଷମତା (μF)	φD (mm)	L (mm)	L1 (mm)	ESL (nH)	dv / dt (V / μS)	Ipk (A)	Irms (A)
0.33	45	114	123	35	1500	495	30
0.47	54	114	123	35	1300	611	35
0.68	65	114	123	35	1200	816	40
୧	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70