କାରଖାନାର ହୋଲସେଲ ଆଲୁମିନିୟମ କ୍ୟାନ୍ ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟରର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ - CRE

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଭିଡିଓ

ମତାମତ (2)

ଆମେ ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତାର ସାମଗ୍ରୀ, ଆକ୍ରାମକ ମୂଲ୍ୟ ଏବଂ ସର୍ବୋତ୍ତମ କ୍ରେତା ସହାୟତା ଯୋଗାଇ ପାରିବୁ। ଆମର ଲକ୍ଷ୍ୟସ୍ଥଳ ହେଉଛି "ତୁମେ କଷ୍ଟରେ ଏଠାକୁ ଆସ ଏବଂ ଆମେ ତୁମକୁ ନେଇଯିବା ପାଇଁ ଏକ ହସ ଯୋଗାଇବୁ"।ୱେଲ୍ଡିଂ ଇନଭର୍ଟର ଡିସି ଲିଙ୍କ କ୍ୟାପାସିଟର , କମ୍-ଫ୍ରିକ୍ୟୁନ୍ସି ଇଣ୍ଡକ୍ସନ୍ ଫର୍ଣ୍ଣେସ୍ କ୍ୟାପାସିଟର , ଡିସି ଲିଙ୍କ୍ ଅଲ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର, ଆମେ ଆପଣଙ୍କୁ ଏବଂ ଆପଣଙ୍କ କମ୍ପାନୀକୁ ଆମ ସହିତ ମିଶି ଉନ୍ନତି କରିବାକୁ ଏବଂ ବିଶ୍ୱବ୍ୟାପୀ ବଜାରରେ ଏକ ଚମତ୍କାର ଭବିଷ୍ୟତ ଅଂଶୀଦାର କରିବାକୁ ନିମନ୍ତ୍ରଣ କରୁଛୁ।

କାରଖାନାର ହୋଲସେଲ ଆଲୁମିନିୟମ୍ କ୍ୟାନ୍ ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟରର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ - CRE ବିବରଣୀ:

SMJ-P ସିରିଜ୍

ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ ପରିସର: 1000 VDC ରୁ 2000 VDC
କ୍ଷମତା ପରିସର: 0.1 uf ରୁ 3.0 uf
ମାଉଣ୍ଟିଂ ପିଚ୍ : 22.5 ମିମି ରୁ 48 ମିମି
ନିର୍ମାଣ : ଧାତୁକୃତ ପଲିପ୍ରୋପିଲିନ୍ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ସିରିଜ୍ ସଂଯୋଗ
ପ୍ରୟୋଗ : IGBT ସୁରକ୍ଷା, ରେଜୋନାନ୍ସ ଟ୍ୟାଙ୍କ ସର୍କିଟ

ସ୍ୱୟଂ-ନିରାମୟ, ଶୁଷ୍କ-ପ୍ରକାର, ସ୍ନବର୍ କ୍ୟାପାସିଟର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ତରଙ୍ଗ କଟ୍ ଧାତବ ପିପି ଫିଲ୍ମ ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦନ କରାଯାଏ ଯାହା କମ ସ୍ୱୟଂ-ଉଦ୍ୟୋଗ, ଉଚ୍ଚ ଫାଟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ। ଅତ୍ୟଧିକ ଚାପ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଆବଶ୍ୟକ ବୋଲି ବିବେଚନା କରାଯାଏ ନାହିଁ। କ୍ୟାପାସିଟର ଉପର ଭାଗ ସ୍ୱୟଂ-ନିର୍ବାଣ ପରିବେଶ-ଅନୁକୂଳ ଇପୋକ୍ସି ସହିତ ସିଲ୍ କରାଯାଇଛି। ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଡିଜାଇନ୍ ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ ସ୍ୱୟଂ ଉଦ୍ୟୋଗ ନିଶ୍ଚିତ କରେ।

IMG_0397.HEIC

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ସାରଣୀ

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୭୦୦V.DC,Urms୪୦୦Vac;Us୧୦୫୦V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @୪୦℃ @୧୦୦KHz (A)
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୫୦୦	୨୩୫	8
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	25	୪୮୦	୩୨୬.୪	10
1	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	24	୪୫୦	୪୫୦	12
୧.୫	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	25	୪୩୦	୬୪୫	5
2	୪୨.୫	33	୩୫.୫	6	24	୪୨୦	୮୪୦	15
୨.୫	୪୨.୫	33	45	6	23	୪୦୦	୧୦୦୦	18
3	୪୨.୫	33	45	୫.୫	22	୩୮୦	୧୧୪୦	20
3	୫୭.୫	30	45	5	26	୩୫୦	୧୦୫୦	22
୩.୫	୪୨.୫	33	45	5	23	୩୫୦	୧୨୨୫	25
୩.୫	୫୭.୫	30	45	6	25	୩୦୦	୧୦୫୦	22
୪.୭	୫୭.୫	35	50	5	28	୨୮୦	୧୩୧୬	25
୫.୬	୫୭.୫	38	54	4	30	୨୫୦	୧୪୦୦	25
6	୫୭.୫	38	54	୩.୫	33	୨୩୦	୧୩୮୦	28
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	32	୨୨୦	୧୪୯୬	32
8	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	30	୨୦୦	୧୬୦୦	33

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	25	୧୦୦୦	୪୭୦	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	25	୮୦୦	୫୪୪	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	24	୮୦୦	୮୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	24	୭୦୦	୧୦୫୦	15
2	୪୨.୫	33	45	5	22	୭୦୦	୧୪୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	30	45	5	30	୬୦୦	୧୫୦୦	22
3	୫୭.୫	35	50	4	30	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	35	50	୩.୫	28	୫୫୦	୧୮୧୫	25
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	28	୫୦୦	୧୭୫୦	25
4	୫୭.୫	38	54	୩.୨	26	୫୦୦	୨୦୦୦	28
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	3	25	୪୨୦	୧୯୭୪	30
୫.୬	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	24	୪୦୦	୨୨୪୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	24	୧୨୦୦	୫୬୪	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	23	୧୧୦୦	୭୪୮	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	22	୮୦୦	୮୦୦	14
୧.୫	୪୨.୫	33	45	5	20	୮୦୦	୧୨୦୦	15
2	୫୭.୫	30	45	4	30	୭୫୦	୧୫୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୭୦୦	୧୭୫୦	25
3	୫୭.୫	35	50	4	27	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	4	27	୫୫୦	୧୮୧୫	28
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	28
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୪୫୦	୧୮୦୦	30
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	23	୪୨୦	୧୯୭୪	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୧୭୦୦V.DC,Urms୫୭୫Vac;Us୨୨୫୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୩୩	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୧୩୦୦	୪୨୯	9
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	24	୧୩୦୦	୬୧୧	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	8	23	୧୩୦୦	୮୮୪	12
1	୪୨.୫	33	45	7	22	୧୨୦୦	୧୨୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	22	୧୨୦୦	୧୮୦୦	18
୧.୫	୫୭.୫	30	45	5	31	୧୨୦୦	୧୮୦୦	20
2	୫୭.୫	30	45	5	30	୧୧୦୦	୨୨୦୦	22
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୧୧୦୦	୨୭୫୦	25
3	୫୭.୫	38	54	4	27	୭୦୦	୨୧୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	୩.୮	26	୬୦୦	୧୯୮୦	28
୩.୫	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	30
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	25	୪୫୦	୧୮୦୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୨୦୦୦V.DC,Urms୭୦୦Vac;Us୩୦୦୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୨୨	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	15	25	୧୫୦୦	୩୩୦	10
୦.୩୩	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	12	24	୧୫୦୦	୪୯୫	12
୦.୪୭	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	11	23	୧୪୦୦	୬୫୮	15
୦.୬୮	୪୨.୫	33	45	8	22	୧୨୦୦	୮୧୬	18
୦.୬୮	୫୭.୫	30	45	7	30	୧୧୦୦	୭୪୮	20
୦.୮୨	୪୨.୫	33	45	7	28	୧୨୦୦	୯୮୪	22
1	୫୭.୫	30	45	6	28	୧୧୦୦	୧୧୦୦	25
୧.୫	୫୭.୫	35	50	5	25	୧୦୦୦	୧୫୦୦	28
2	୫୭.୫	38	54	5	24	୮୦୦	୧୬୦୦	28
୨.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	4	23	୭୦୦	୧୫୪୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୧୫	୪୨.୫	33	45	18	28	୨୫୦୦	୩୭୫	25
୦.୨୨	୪୨.୫	33	45	15	27	୨୨୦୦	୪୮୪	28
୦.୨୨	୫୭.୫	35	50	15	25	୨୦୦୦	୩୩୦	20
୦.୩୩	୫୭.୫	35	50	12	24	୧୮୦୦	୪୯୫	20
୦.୪୭	୫୭.୫	38	54	11	23	୧୬୦୦	୭୫୨	22
୦.୬୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	8	22	୧୫୦୦	୧୦୨୦	28

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ ଚିତ୍ର:

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଉତ୍ପାଦ ଗାଇଡ୍:

ନୂତନ ଗ୍ରାହକ କିମ୍ବା ପୁରୁଣା ଗ୍ରାହକ ହେଉନା କାହିଁକି, ଆମେ କାରଖାନା ହୋଲସେଲ୍ ଆଲୁମିନିୟମ୍ କ୍ୟାନ୍ ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର - IGBT ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରୋପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟରର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ପାଇଁ ଦୀର୍ଘ ପ୍ରକାଶନ ଏବଂ ବିଶ୍ୱସ୍ତ ସମ୍ପର୍କ ଉପରେ ବିଶ୍ୱାସ କରୁ - CRE, ଏହି ଉତ୍ପାଦ ସାରା ବିଶ୍ୱକୁ ଯୋଗାଇବ, ଯେପରିକି: ଆୟରଲ୍ୟାଣ୍ଡ, ୟୁକେ, ଲକ୍ସେମବର୍ଗ, ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ଜେନେରେସନ୍ ଲାଇନ୍ ପରିଚାଳନା ଏବଂ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଗାଇଡ୍ ପ୍ରଦାନକାରୀଙ୍କୁ ଜିଦ୍ ଧରି, ଆମେ ଆମର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ପ୍ରଥମ ପର୍ଯ୍ୟାୟ କ୍ରୟ ଏବଂ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେବା କାର୍ଯ୍ୟ ଅଭିଜ୍ଞତା ପ୍ରଦାନ କରିବାକୁ ଆମର ନିଷ୍ପତ୍ତି ନେଇଛୁ। ଆମର ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କ ସହିତ ପ୍ରଚଳିତ ସହାୟକ ସମ୍ପର୍କକୁ ବଜାୟ ରଖି, ଆମେ ଏପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ନୂତନ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିବା ପାଇଁ ଏବଂ ଅହମ୍ମଦାବାଦରେ ଏହି ବ୍ୟବସାୟର ନୂତନ ଧାରା ସହିତ ଲାଗି ରହିବା ପାଇଁ ଆମର ଉତ୍ପାଦ ତାଲିକାଗୁଡ଼ିକୁ ନୂତନୀକରଣ କରୁଛୁ। ଆମେ ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ବାଣିଜ୍ୟରେ ଅନେକ ସମ୍ଭାବନାକୁ ବୁଝିବା ପାଇଁ ସମସ୍ୟାଗୁଡ଼ିକୁ ସମାଧାନ କରିବାକୁ ଏବଂ ପରିବର୍ତ୍ତନ କରିବାକୁ ପ୍ରସ୍ତୁତ।

ମୂଲ୍ୟ ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଶୁଷ୍କ ପ୍ରକାରର ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର ସମାଧାନ

ନୂତନ ଶକ୍ତି ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର ନବସୃଜନ

ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଇଣ୍ଡଷ୍ଟ୍ରିଆଲ୍ ଇନଭର୍ଟର କ୍ୟାପାସିଟର

କମ୍ କ୍ଷମତା ହ୍ରାସ ଫିମ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ପିନ୍ ଲିଡ୍ସ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ପାୱାର କନଭର୍ଟର କ୍ୟାପାସିଟର

ପିଭି ଇନଭର୍ଟର କ୍ୟାପାସିଟର

କମ୍ପାନୀ ଏହି ଶିଳ୍ପ ବଜାରରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସହିତ ତାଳ ଦେଇପାରିବ, ଉତ୍ପାଦ ଶୀଘ୍ର ଅପଡେଟ୍ ହୁଏ ଏବଂ ମୂଲ୍ୟ ଶସ୍ତା, ଏହା ଆମର ଦ୍ୱିତୀୟ ସହଯୋଗ, ଏହା ଭଲ।

ଇଟାଲୀରୁ କ୍ୟାରିଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - 2017.08.21 14:13

ଆମେ ସର୍ବଦା ବିଶ୍ୱାସ କରୁ ଯେ ବିବରଣୀ କମ୍ପାନୀର ଉତ୍ପାଦର ଗୁଣବତ୍ତା ନିର୍ଣ୍ଣୟ କରେ, ଏହି ଦୃଷ୍ଟିରୁ, କମ୍ପାନୀ ଆମର ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରେ ଏବଂ ସାମଗ୍ରୀଗୁଡ଼ିକ ଆମର ଆଶା ପୂରଣ କରେ।

ଜର୍ଜିଆରୁ ଫର୍ଣ୍ଣାଣ୍ଡୋଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - ୨୦୧୭.୦୨.୧୪ ୧୩:୧୯