ଶସ୍ତା ମୂଲ୍ୟ 2200UF 50V ସହିତ Kyx ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତାର ମୂଳ ନିର୍ମାତା କାରଖାନା ପ୍ରମୋସନାଲ୍ PCB ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଫ୍ୟାକ୍ଟ୍ରି ପ୍ରମୋସନାଲ୍ PCB ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର Kyx ର ମୂଳ ନିର୍ମାତା ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା ସହିତ ଶସ୍ତା ମୂଲ୍ୟ 2200UF 50V ବଛା ଚିତ୍ର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

କ୍ୟାପାସିଟର ମଡେଲ: DMJ-PS ସିରିଜ୍

1. କ୍ଷମତା ପରିସର: 8-150uf;

2. ଭୋଲଟାଞ୍ଜ ପରିସର: 450-1300V;

3. ତାପମାତ୍ରା: 105℃ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ;

4. ବହୁତ କମ୍ ଅପଚୟ କାରକ;

5. ବହୁତ ଉଚ୍ଚ ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧକତା;

6. ଅଣ-ଧରୁବୀ ନିର୍ମାଣ;

୭. ବିକଳ୍ପ ପାଇଁ PCB ମାଉଣ୍ଟିଂ, ୨-ପିନ୍, ୪-ପିନ୍, ୬-ପିନ୍ ଟର୍ମିନାଲ ସଂସ୍କରଣ;

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଗ୍ରାହକ ସନ୍ତୁଷ୍ଟି ଆମର ପ୍ରାଥମିକ ଧ୍ୟାନ। ଆମେ ଶସ୍ତା ମୂଲ୍ୟ 2200UF 50V ସହିତ Kyx ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତାର କାରଖାନା ପ୍ରମୋସନାଲ୍ PCB ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର ମୂଳ ନିର୍ମାତା ପାଇଁ ବୃତ୍ତିଗତତା, ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା, ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ଏବଂ ମରାମତିର ଏକ ସ୍ଥିର ସ୍ତରକୁ ବଜାୟ ରଖିଛୁ, ଆମେ ଆପଣଙ୍କୁ ଆମକୁ ଭେଟିବାକୁ ଆସିବାକୁ ଆନ୍ତରିକ ଭାବରେ ସ୍ୱାଗତ କରୁଛୁ। ଆଶା କରୁଛି ବର୍ତ୍ତମାନ ଆମର ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଭିତରେ ବହୁତ ଭଲ ସହଯୋଗ ରହିବ।
ଗ୍ରାହକ ସନ୍ତୁଷ୍ଟି ଆମର ପ୍ରାଥମିକ ଧ୍ୟାନ। ଆମେ ବୃତ୍ତିଗତତା, ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା, ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ଏବଂ ମରାମତିର ଏକ ସ୍ଥିର ସ୍ତରକୁ ବଜାୟ ରଖିଥାଉଚୀନ୍ ଏଚଭି କାପାସିଟର ଯୋଗାଣକାରୀ ଏବଂ ଇଲେକ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କାପାସିଟର, ଆମେ ବଜାର ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ ବିକାଶ ପାଇଁ ନିଜକୁ ଉତ୍ସର୍ଗ କରିବୁ ଏବଂ ଏକ ଅଧିକ ସମୃଦ୍ଧ ଭବିଷ୍ୟତ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଆମର ଗ୍ରାହକଙ୍କ ପାଇଁ ଏକ ସୁସଂଗଠିତ ସେବା ନିର୍ମାଣ କରିବୁ। ଆମେ କିପରି ଏକାଠି କାମ କରିପାରିବୁ ତାହା ଜାଣିବା ପାଇଁ ଆପଣ ଆଜି ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବା ଉଚିତ।

DMJ-PS ସିରିଜ୍

DC-Link MKP କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି କନଭର୍ଟର ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାରେ ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି ଯେଉଁଠାରେ ବର୍ଦ୍ଧିତ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଆବଶ୍ୟକତା ଯୋଗୁଁ ସେମାନେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ଅଧିକରୁ ଅଧିକ ପ୍ରତିସ୍ଥାପିତ କରୁଛନ୍ତି। ଏକ କମ୍ କ୍ଷତି ପଲିପ୍ରୋପିଲିନ୍ ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସହିତ ନିର୍ମିତ, ଏଗୁଡ଼ିକ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର ତୁଳନାରେ ଉଚ୍ଚ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସିରେ ଉଚ୍ଚ କରେଣ୍ଟ ବହନ କ୍ଷମତା ସହିତ କମ୍ ଅପଚୟ/ସ୍ୱୟଂ-ତାପ ପ୍ରଦର୍ଶନ କରନ୍ତି।

ଆୟତାକାର କେସ୍ ସହିତ CRE DC-LINK MKP କାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ 2-ପିନ୍, 4-ପିନ୍, 6-ପିନ୍ ଟର୍ମିନାଲ ସଂସ୍କରଣ ପାଇଁ ଉପଲବ୍ଧ।

ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ନିର୍ମାଣ ଏବଂ ଅଣ-ଧ୍ରୁବୀୟ ସଂଯୋଗ ବିନ୍ୟାସ ଉପରେ ଆଧାର କରି CRE DC-LINK କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ ଗୋଟିଏ 4500 µF/400 VDC ଭାବରେ, ଦୁଇଟି 2250 µF/400 VDC ଭାବରେ କିମ୍ବା ବିକଳ୍ପ ଭାବରେ ଗୋଟିଏ 1125 µF/800 VDC ଉପାଦାନ ଭାବରେ ସଂଯୋଗ କରାଯାଇପାରିବ। କେସ୍ ଆକାର ଏବଂ ୱାୟାରିଂ ସଂସ୍କରଣ ମୂଲ୍ୟ ଉପରେ ନିର୍ଭର କରି 85 µF/1600 VDC ଏବଂ 4500 µF/400 VDC ମଧ୍ୟରେ ଉପଲବ୍ଧ। ଚାହିଦା ଅନୁଯାୟୀ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ସମାଧାନ ହାସଲ କରାଯାଇପାରିବ।

CRE ପ୍ଲାଣ୍ଟ
MKP କାପାସିଟର କାରଖାନା
ଶୁଷ୍କ କାପାସିଟର

ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡ଼ିକ

୧. ବହୁତ ଉଚ୍ଚ କାପାସିଟାନ୍ସ/ଆଲୋକନ ଅନୁପାତ

୨. ପ୍ରତି ଉପାଦାନର ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ରେଟିଂ

3. ବହୁତ କମ୍ ଅପବ୍ୟବହାର କାରକ (ESR)

୪. ବହୁତ ଉଚ୍ଚ ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧକତା

୫. ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଆତ୍ମ-ଉପଚାର ଗୁଣ

୬. ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ ଆଶା

୭. ଅ-ଧରୁଣୀ ନିର୍ମାଣ

୮. ବିଶେଷ ଭାବରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଯୋଗାଯୋଗ ବିନ୍ୟାସ

୯. ଉଚ୍ଚ ଆଘାତ ଏବଂ କମ୍ପନ ପ୍ରତିରୋଧ

୧୦. ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥିରତା

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ସାରଣୀ

ଭୋଲଟେଜ୍					୫୫୦ଭି.ଡିସି(୮୫℃) ୬୦୦ଭି(୭୦℃)
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
4	2	୦.୮	32	11	21	୨୭.୫		୨୦.୫	10	75	୩୦୦	4
7	2	୦.୮	32	15	25	୨୭.୫		୧୧.୫	10	75	୫୨୫	୬.୫
10	2	1	32	18	28	୨୭.୫		8	10	75	୭୫୦	9
12	2	1	32	21	31	୨୭.୫		7	10	75	୯୦୦	10
20	2	୧.୨	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	୩୭.୫		7	10	40	୮୦୦	11
30	4	୧.୨	୪୨.୫	24	44	୩୭.୫	୨୦.୩	୬.୫	10	40	୧୨୦୦	15
45	4	୧.୨	୪୨.୫	29	37	୩୭.୫	୨୦.୩	6	10	40	୧୮୦୦	17
60	4	୧.୨	୪୨.୫	30	45	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	40	୨୪୦୦	୧୮.୫
60	4	୧.୨	୪୨.୫	33	45	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	40	୨୪୦୦	୧୮.୫
75	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	3	15	20	୧୫୦୦	19
75	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	15	20	୧୫୦୦	18
୧୦୦	4	୧.୨	୪୨.୫	40	55	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୮	15	20	୨୦୦୦	20
୧୦୦	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	3	15	20	୨୦୦୦	22
୧୧୦	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	3	15	20	୨୨୦୦	23
୧୨୦	4	୧.୨	୫୭.୫	38	54	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୮	15	20	୨୪୦୦	25
୧୫୦	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୫	15	20	୩୦୦୦	28
୧୫୦	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୫	15	20	୩୦୦୦	28
୨୦୦	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୩	15	20	୪୦୦୦	28
ଭୋଲଟେଜ୍					୭୦୦ଭି.ଡିସି (୮୫℃) ୮୦୦ଭି (୭୦℃)
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
3	2	୦.୮	32	11	21	୨୭.୫		23	10	75	୨୨୫	4
5	2	୦.୮	32	15	25	୨୭.୫		14	10	75	୩୭୫	6
8	2	1	32	18	28	୨୭.୫		୮.୫	10	75	୬୦୦	୮.୫
10	2	1	32	21	31	୨୭.୫		7	10	75	୭୫୦	10
10	2	୧.୨	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	୩୭.୫		10	10	40	୪୦୦	10
20	4	୧.୨	୪୨.୫	24	44	୩୭.୫	୨୦.୩	୭.୫	10	40	୮୦୦	12
25	4	୧.୨	୪୨.୫	29	37	୩୭.୫	୨୦.୩	6	10	40	୧୦୦୦	12
40	4	୧.୨	୪୨.୫	33	45	୩୭.୫	୨୦.୩	୫.୫	10	40	୧୬୦୦	13
40	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	6	15	20	୮୦୦	15
45	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	5	10	40	୧୮୦୦	15
50	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	୫.୫	15	20	୧୦୦୦	18
55	4	୧.୨	୪୨.୫	40	55	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	10	40	୨୨୦୦	18
60	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	5	15	20	୧୨୦୦	20
75	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	20	୧୫୦୦	22
80	4	୧.୨	୫୭.୫	38	54	୫୨.୫	୨୦.୩	4	15	20	୧୬୦୦	22
90	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୫	15	20	୧୮୦୦	25
୧୦୦	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	15	20	୨୦୦୦	୨୭.୫
୧୦୦	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	15	20	୨୦୦୦	୨୭.୫
୧୧୦	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	3	15	20	୨୨୦୦	28
ଭୋଲଟେଜ୍					୮୦୦ଭି.ଡିସି（୮୫℃）୯୦୦ଭି（୭୦℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
2	2	୦.୮	32	11	21	୨୭.୫		31	10	75	୧୫୦	୩.୫
4	2	୦.୮	32	15	25	୨୭.୫		୧୫.୫	10	75	୩୦୦	୫.୫
6	2	1	32	18	28	୨୭.୫		୧୦.୫	10	75	୪୫୦	୭.୫
8	2	1	32	21	31	୨୭.୫		8	10	75	୬୦୦	୯.୫
15	2	୧.୨	୪୨.୫	24	44	୩୭.୫		10	10	40	୬୦୦	10
20	4	୧.୨	୪୨.୫	29	37	୩୭.୫	୨୦.୩	୭.୫	10	40	୮୦୦	12
30	4	୧.୨	୪୨.୫	33	45	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	10	40	୧୨୦୦	16
35	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	୫.୫	15	20	୭୦୦	14
45	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୨	10	40	୧୮୦୦	17
50	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	20	୧୦୦୦	18
55	4	୧.୨	୪୨.୫	40	55	୩୭.୫	୨୦.୩	4	10	40	୨୨୦୦	18
60	4	୧.୨	୫୭.୫	38	54	୫୨.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	20	୧୨୦୦	20
70	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୫	15	20	୧୪୦୦	22
75	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	15	20	୧୫୦୦	24
85	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	3	15	20	୧୭୦୦	26
ଭୋଲଟେଜ୍					୧୧୦୦ଭି.ଡିସି(୮୫℃) ୧୨୦୦ଭି (୭୦℃)
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
1	2	୦.୮	32	11	21	୨୭.୫		୪୫.୫	10	95	95	3
2	2	୦.୮	32	15	25	୨୭.୫		23	10	95	୧୯୦	୪.୫
3	2	1	32	18	28	୨୭.୫		୧୫.୫	10	95	୨୮୫	6
4	2	1	32	21	31	୨୭.୫		୧୧.୫	10	95	୩୮୦	8
10	2	୧.୨	୪୨.୫	24	44	୩୭.୫		11	10	40	୪୨୯	11
15	4	୧.୨	୪୨.୫	29	37	୩୭.୫	୨୦.୩	8	10	40	୬୦୦	15
20	4	୧.୨	୪୨.୫	30	45	୩୭.୫	୨୦.୩	5	10	40	୮୦୦	18
20	4	୧.୨	୪୨.୫	33	45	୩୭.୫	୨୦.୩	5	10	40	୮୦୦	18
20	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	7	15	25	୫୦୦	15
25	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	6	15	25	୬୨୫	17
30	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	5	15	25	୭୫୦	18
35	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	10	40	୧୪୦୦	19
40	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	5	15	25	୧୦୦୦	18
45	4	୧.୨	୫୭.୫	38	54	୫୨.୫	୨୦.୩	୪.୫	15	25	୧୧୨୫	୧୮.୫
50	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୫	15	25	୧୨୫୦	20
55	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୫	15	25	୧୩୭୫	21
60	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	15	25	୧୫୦୦	22
70	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	3	15	25	୧୭୫୦	24
ଭୋଲଟେଜ୍					୧୨୦୦ଭି.ଡିସି(୮୫℃) ୧୫୦୦ଭି (୭୦℃)
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
1	2	୦.୮	32	11	21	୨୭.୫		43	10	୧୦୦	୧୦୦	3
2	2	୦.୮	32	15	25	୨୭.୫		୨୧.୫	10	୧୦୦	୨୦୦	5
3	2	1	32	18	28	୨୭.୫		୧୪.୫	10	୧୦୦	୩୦୦	୬.୫
4	2	1	32	21	31	୨୭.୫		11	10	୧୦୦	୪୦୦	8
12	4	୧.୨	୪୨.୫	30	45	୩୭.୫	୨୦.୩	5	10	50	୬୦୦	15
12	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	11	15	40	୪୮୦	13
18	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	୪.୫	10	50	୯୦୦	18
20	4	୧.୨	୪୨.୫	40	55	୩୭.୫	୨୦.୩	7	15	50	୧୦୦୦	16
20	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	8	15	40	୮୦୦	17
25	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	7	15	40	୧୦୦୦	20
40	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	6	15	25	୧୦୦୦	22
45	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	୫.୫	15	25	୧୧୨୫	24
ଭୋଲଟେଜ୍					୧୮୦୦ଭି.ଡିସି(୮୫℃) ୨୦୦୦ଭି (୭୦℃)
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	ପିଚ୍(ମିମି)		ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
ସିଏନ (ୟୁଏଫ)	ତାର ସଂଖ୍ୟା	φD (ମିମି)	ଲି(ମିମି)±1	ଟି(ମିମି)±1	ଘ(ମିମି)±1	P1	P2	ESR (ମିΩ)	ESL (nH)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ (ଏ)	ଇର୍ମସ୍(A) （@10KHz 85℃）
6	4	୧.୨	୪୨.୫	30	45	୩୭.୫	୨୦.୩	24	10	୧୦୦	୬୦୦	5
8	4	୧.୨	୪୨.୫	35	50	୩୭.୫	୨୦.୩	20	10	୧୦୦	୮୦୦	8
10	4	୧.୨	୪୨.୫	40	55	୩୭.୫	୨୦.୩	18	10	୧୦୦	୧୦୦୦	10
8	4	୧.୨	୫୭.୫	30	45	୫୨.୫	୨୦.୩	12	15	50	୪୦୦	13
10	4	୧.୨	୫୭.୫	35	50	୫୨.୫	୨୦.୩	10	15	50	୫୦୦	17
15	4	୧.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୫୨.୫	୨୦.୩	8	15	50	୭୫୦	20
18	4	୧.୨	୫୭.୫	45	55	୫୨.୫	୨୦.୩	୭.୫	15	50	୯୦୦	21
20	4	୧.୨	୫୭.୫	45	65	୫୨.୫	୨୦.୩	7	15	45	୯୦୦	22

ଭିଡିଓ

ଗ୍ରାହକ ସନ୍ତୁଷ୍ଟି ଆମର ପ୍ରାଥମିକ ଧ୍ୟାନ। ଆମେ ଶସ୍ତା ମୂଲ୍ୟ 2200UF 50V ସହିତ Kyx ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତାର କାରଖାନା ପ୍ରମୋସନାଲ୍ PCB ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର ମୂଳ ନିର୍ମାତା ପାଇଁ ବୃତ୍ତିଗତତା, ଉଚ୍ଚ ଗୁଣବତ୍ତା, ବିଶ୍ୱସନୀୟତା ଏବଂ ମରାମତିର ଏକ ସ୍ଥିର ସ୍ତରକୁ ବଜାୟ ରଖିଛୁ, ଆମେ ଆପଣଙ୍କୁ ଆମକୁ ଭେଟିବାକୁ ଆସିବାକୁ ଆନ୍ତରିକ ଭାବରେ ସ୍ୱାଗତ କରୁଛୁ। ଆଶା କରୁଛି ବର୍ତ୍ତମାନ ଆମର ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ଭିତରେ ବହୁତ ଭଲ ସହଯୋଗ ରହିବ।
କାରଖାନା ପ୍ରଚାରଚୀନ୍ ଏଚଭି କାପାସିଟର ଯୋଗାଣକାରୀ ଏବଂ ଇଲେକ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କାପାସିଟର, ଆମେ ବଜାର ଏବଂ ଉତ୍ପାଦ ବିକାଶ ପାଇଁ ନିଜକୁ ଉତ୍ସର୍ଗ କରିବୁ ଏବଂ ଏକ ଅଧିକ ସମୃଦ୍ଧ ଭବିଷ୍ୟତ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ଆମର ଗ୍ରାହକଙ୍କ ପାଇଁ ଏକ ସୁସଂଗଠିତ ସେବା ନିର୍ମାଣ କରିବୁ। ଆମେ କିପରି ଏକାଠି କାମ କରିପାରିବୁ ତାହା ଜାଣିବା ପାଇଁ ଆପଣ ଆଜି ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବା ଉଚିତ।