Igbt ପାଇଁ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର କାରଖାନା ତିଆରି - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - CRE

Igbt ପାଇଁ କାରଖାନା ତିଆରି ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - CRE ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଯୁକ୍ତ ଚିତ୍ର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଭିଡିଓ

ମତାମତ (2)

ନବସୃଜନ, ଉତ୍କୃଷ୍ଟତା ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ହେଉଛି ଆମ କମ୍ପାନୀର ମୂଳ ମୂଲ୍ୟବୋଧ। ଏହି ନୀତିଗୁଡ଼ିକ ଆଜି ପୂର୍ବ ଅପେକ୍ଷା ବହୁତ ଅଧିକ ଏକ ଆନ୍ତର୍ଜାତୀୟ ସ୍ତରରେ ସକ୍ରିୟ ମଧ୍ୟମ ଆକାରର ବ୍ୟବସାୟ ଭାବରେ ଆମର ସଫଳତାର ଆଧାର ଗଠନ କରେଅଟୋମୋଟିଭ୍ ଆପ୍ଲିକେସନ୍ ପାଇଁ ଡିସି-ଲିଙ୍କ୍ କ୍ୟାପାସିଟର , ପାୱାର କନଭର୍ଟରରେ ଡିସି-ଲିଙ୍କ୍ କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ , ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ପଲିପ୍ରୋପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର, ଆମେ ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ ଗ୍ରାହକ ସନ୍ତୁଷ୍ଟିକୁ ପ୍ରାଥମିକତା ଦେଉଛୁ ଏବଂ ଏଥିପାଇଁ ଆମେ କଠୋର ଗୁଣବତ୍ତା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ପଦକ୍ଷେପ ଅନୁସରଣ କରୁ। ଆମର ଘର ଭିତରେ ପରୀକ୍ଷଣ ସୁବିଧା ଅଛି ଯେଉଁଠାରେ ଆମର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକୁ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକ୍ରିୟାକରଣ ପର୍ଯ୍ୟାୟରେ ପ୍ରତ୍ୟେକ ଦିଗ ଉପରେ ପରୀକ୍ଷଣ କରାଯାଏ। ନୂତନତମ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାର ମାଲିକ ହୋଇ, ଆମେ ଆମର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ କଷ୍ଟମାଇଜ୍ଡ ଉତ୍ପାଦନ ସୁବିଧା ସହିତ ସୁବିଧା ପ୍ରଦାନ କରୁ।

Igbt ପାଇଁ କାରଖାନା ତିଆରି ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - CRE ବିବରଣୀ:

SMJ-P ସିରିଜ୍

ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ ପରିସର: 1000 VDC ରୁ 2000 VDC
କ୍ଷମତା ପରିସର: 0.1 uf ରୁ 3.0 uf
ମାଉଣ୍ଟିଂ ପିଚ୍ : 22.5 ମିମି ରୁ 48 ମିମି
ନିର୍ମାଣ : ଧାତୁକୃତ ପଲିପ୍ରୋପିଲିନ୍ ଡାଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ଆଭ୍ୟନ୍ତରୀଣ ସିରିଜ୍ ସଂଯୋଗ
ପ୍ରୟୋଗ : IGBT ସୁରକ୍ଷା, ରେଜୋନାନ୍ସ ଟ୍ୟାଙ୍କ ସର୍କିଟ

ସ୍ୱୟଂ-ନିରାମୟ, ଶୁଷ୍କ-ପ୍ରକାର, ସ୍ନବର୍ କ୍ୟାପାସିଟର ଉପାଦାନଗୁଡ଼ିକ ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଭାବରେ ପ୍ରୋଫାଇଲ୍, ତରଙ୍ଗ କଟ୍ ଧାତବ ପିପି ଫିଲ୍ମ ବ୍ୟବହାର କରି ଉତ୍ପାଦନ କରାଯାଏ ଯାହା କମ ସ୍ୱୟଂ-ଉଦ୍ୟୋଗ, ଉଚ୍ଚ ଫାଟ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ସୁନିଶ୍ଚିତ କରେ। ଅତ୍ୟଧିକ ଚାପ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଆବଶ୍ୟକ ବୋଲି ବିବେଚନା କରାଯାଏ ନାହିଁ। କ୍ୟାପାସିଟର ଉପର ଭାଗ ସ୍ୱୟଂ-ନିର୍ବାଣ ପରିବେଶ-ଅନୁକୂଳ ଇପୋକ୍ସି ସହିତ ସିଲ୍ କରାଯାଇଛି। ସ୍ୱତନ୍ତ୍ର ଡିଜାଇନ୍ ଅତ୍ୟନ୍ତ କମ୍ ସ୍ୱୟଂ ଉଦ୍ୟୋଗ ନିଶ୍ଚିତ କରେ।

IMG_0397.HEIC

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ସାରଣୀ

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୭୦୦V.DC,Urms୪୦୦Vac;Us୧୦୫୦V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @୪୦℃ @୧୦୦KHz (A)
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୫୦୦	୨୩୫	8
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	25	୪୮୦	୩୨୬.୪	10
1	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	24	୪୫୦	୪୫୦	12
୧.୫	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	25	୪୩୦	୬୪୫	5
2	୪୨.୫	33	୩୫.୫	6	24	୪୨୦	୮୪୦	15
୨.୫	୪୨.୫	33	45	6	23	୪୦୦	୧୦୦୦	18
3	୪୨.୫	33	45	୫.୫	22	୩୮୦	୧୧୪୦	20
3	୫୭.୫	30	45	5	26	୩୫୦	୧୦୫୦	22
୩.୫	୪୨.୫	33	45	5	23	୩୫୦	୧୨୨୫	25
୩.୫	୫୭.୫	30	45	6	25	୩୦୦	୧୦୫୦	22
୪.୭	୫୭.୫	35	50	5	28	୨୮୦	୧୩୧୬	25
୫.୬	୫୭.୫	38	54	4	30	୨୫୦	୧୪୦୦	25
6	୫୭.୫	38	54	୩.୫	33	୨୩୦	୧୩୮୦	28
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	32	୨୨୦	୧୪୯୬	32
8	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	30	୨୦୦	୧୬୦୦	33

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	25	୧୦୦୦	୪୭୦	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	25	୮୦୦	୫୪୪	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	24	୮୦୦	୮୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	24	୭୦୦	୧୦୫୦	15
2	୪୨.୫	33	45	5	22	୭୦୦	୧୪୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	30	45	5	30	୬୦୦	୧୫୦୦	22
3	୫୭.୫	35	50	4	30	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	35	50	୩.୫	28	୫୫୦	୧୮୧୫	25
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	28	୫୦୦	୧୭୫୦	25
4	୫୭.୫	38	54	୩.୨	26	୫୦୦	୨୦୦୦	28
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	3	25	୪୨୦	୧୯୭୪	30
୫.୬	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	24	୪୦୦	୨୨୪୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	24	୧୨୦୦	୫୬୪	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	23	୧୧୦୦	୭୪୮	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	22	୮୦୦	୮୦୦	14
୧.୫	୪୨.୫	33	45	5	20	୮୦୦	୧୨୦୦	15
2	୫୭.୫	30	45	4	30	୭୫୦	୧୫୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୭୦୦	୧୭୫୦	25
3	୫୭.୫	35	50	4	27	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	4	27	୫୫୦	୧୮୧୫	28
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	28
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୪୫୦	୧୮୦୦	30
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	23	୪୨୦	୧୯୭୪	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୧୭୦୦V.DC,Urms୫୭୫Vac;Us୨୨୫୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୩୩	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୧୩୦୦	୪୨୯	9
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	24	୧୩୦୦	୬୧୧	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	8	23	୧୩୦୦	୮୮୪	12
1	୪୨.୫	33	45	7	22	୧୨୦୦	୧୨୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	22	୧୨୦୦	୧୮୦୦	18
୧.୫	୫୭.୫	30	45	5	31	୧୨୦୦	୧୮୦୦	20
2	୫୭.୫	30	45	5	30	୧୧୦୦	୨୨୦୦	22
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୧୧୦୦	୨୭୫୦	25
3	୫୭.୫	38	54	4	27	୭୦୦	୨୧୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	୩.୮	26	୬୦୦	୧୯୮୦	28
୩.୫	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	30
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	25	୪୫୦	୧୮୦୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୨୦୦୦V.DC,Urms୭୦୦Vac;Us୩୦୦୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୨୨	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	15	25	୧୫୦୦	୩୩୦	10
୦.୩୩	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	12	24	୧୫୦୦	୪୯୫	12
୦.୪୭	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	11	23	୧୪୦୦	୬୫୮	15
୦.୬୮	୪୨.୫	33	45	8	22	୧୨୦୦	୮୧୬	18
୦.୬୮	୫୭.୫	30	45	7	30	୧୧୦୦	୭୪୮	20
୦.୮୨	୪୨.୫	33	45	7	28	୧୨୦୦	୯୮୪	22
1	୫୭.୫	30	45	6	28	୧୧୦୦	୧୧୦୦	25
୧.୫	୫୭.୫	35	50	5	25	୧୦୦୦	୧୫୦୦	28
2	୫୭.୫	38	54	5	24	୮୦୦	୧୬୦୦	28
୨.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	4	23	୭୦୦	୧୫୪୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୧୫	୪୨.୫	33	45	18	28	୨୫୦୦	୩୭୫	25
୦.୨୨	୪୨.୫	33	45	15	27	୨୨୦୦	୪୮୪	28
୦.୨୨	୫୭.୫	35	50	15	25	୨୦୦୦	୩୩୦	20
୦.୩୩	୫୭.୫	35	50	12	24	୧୮୦୦	୪୯୫	20
୦.୪୭	୫୭.୫	38	54	11	23	୧୬୦୦	୭୫୨	22
୦.୬୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	8	22	୧୫୦୦	୧୦୨୦	28

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ ଚିତ୍ର:

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଉତ୍ପାଦ ଗାଇଡ୍:

ଆମେ "ଗ୍ରାହକ-ଅନୁକୂଳ, ଗୁଣବତ୍ତା-ମୁଖୀ, ସମନ୍ୱିତ, ଅଭିନବ" କୁ ଉଦ୍ଦେଶ୍ୟ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରୁ। "ସତ୍ୟ ଏବଂ ସଚ୍ଚୋଟତା" ହେଉଛି Igbt ପାଇଁ କାରଖାନା ତିଆରି ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର ପାଇଁ ଆମର ପରିଚାଳନା ଆଦର୍ଶ - IGBT ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ପଲିପ୍ରପିଲିନ୍ ଫିଲ୍ମର କମ୍ କ୍ଷତି ଡାଇଇଲେକ୍ଟ୍ରିକ୍ ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର - CRE, ଏହି ଉତ୍ପାଦ ସାରା ବିଶ୍ୱକୁ ଯୋଗାଣ କରିବ, ଯେପରିକି: ଘାନା, ହାଇତି, ବ୍ରାସିଲିଆ, ଆମର ଉତ୍ପାଦଗୁଡ଼ିକ ବ୍ୟବହାରକାରୀଙ୍କ ଦ୍ୱାରା ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ସ୍ୱୀକୃତିପ୍ରାପ୍ତ ଏବଂ ବିଶ୍ୱସ୍ତ ଏବଂ ନିରନ୍ତର ପରିବର୍ତ୍ତନଶୀଳ ଆର୍ଥିକ ଏବଂ ସାମାଜିକ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ। ଭବିଷ୍ୟତର ବ୍ୟବସାୟିକ ସମ୍ପର୍କ ଏବଂ ପାରସ୍ପରିକ ସଫଳତା ପାଇଁ ଆମ ସହିତ ଯୋଗାଯୋଗ କରିବାକୁ ଆମେ ଜୀବନର ସମସ୍ତ କ୍ଷେତ୍ରର ନୂତନ ଏବଂ ପୁରୁଣା ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ସ୍ୱାଗତ କରୁଛୁ!

ଏସି ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର ବ୍ୟାଙ୍କ

ଏସି ପାୱାର ସପ୍ଲାଏ କ୍ୟାପାସିଟର

କମ୍ପାକ୍ଟ ଡିଜାଇନ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

କଷ୍ଟମ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିସି-ଲିଙ୍କ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ପିଭି ଇନଭର୍ଟର ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଇନଭର୍ଟର ଡିସି ଲିଙ୍କ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଅଲ୍ ଅନୁମୋଦିତ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଉତ୍ପାଦର ଗୁଣବତ୍ତା ଭଲ, ଗୁଣବତ୍ତା ନିଶ୍ଚିତତା ବ୍ୟବସ୍ଥା ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ, ପ୍ରତ୍ୟେକ ଲିଙ୍କ୍ ସମୟାନୁସାରେ ପ୍ରଶ୍ନ ପଚାରିପାରିବ ଏବଂ ସମସ୍ୟାର ସମାଧାନ କରିପାରିବ!