ଅକ୍ଷୀୟ GTO ସ୍ନୁବର୍ କାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ

ଅକ୍ଷୀୟ GTO ସ୍ନୁବର୍ କ୍ୟାପାସିଟର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟଯୁକ୍ତ ଚିତ୍ର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଏହି କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକ ସାଧାରଣତଃ GTO ସୁରକ୍ଷାରେ ମିଳୁଥିବା ଭାରୀ କରେଣ୍ଟ ପଲ୍ସକୁ ସହ୍ୟ କରିବା ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ। ଅକ୍ଷୀୟ ସଂଯୋଗଗୁଡ଼ିକ ସିରିଜ୍ ଇନଡକ୍ଟନ୍ସକୁ ହ୍ରାସ କରିବାକୁ ଅନୁମତି ଦିଏ ଏବଂ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ସ୍ଥାପନ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ସମ୍ପର୍କ ଏବଂ ସେବା ସମୟରେ ଉତ୍ପାଦିତ ତାପର ଭଲ ତାପ ଅପଚୟ ପ୍ରଦାନ କରେ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ଡାଟା

କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	-୪୦℃ ରୁ +୮୫℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୦.୧μF~୫.୬μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୬୩୦ଭି.ଡିସି~୨୦୦୦ଭି.ଡିସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	୧.୫ୟୁଏନ୍ ଡିସି/୧୦ଏସ୍
ଅପଚୟ କାରକ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ରେ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S ରେ)
ଷ୍ଟ୍ରାଇକ୍ କରେଣ୍ଟ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	ଡାଟାସିଟ୍ ଦେଖନ୍ତୁ
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; othotspot≤85 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	IEC 61071 ; IEC 61881; GB/T17702

ପ୍ରୟୋଗ

୧. ଆଇଜିବିଟି ସ୍ନୁବର୍, ଜିଟିଓ ସ୍ନୁବର୍

2. ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ ଯେତେବେଳେ ଶିଖର ଭୋଲଟେଜ, ଶିଖର କରେଣ୍ଟ ଅବଶୋଷଣ ସୁରକ୍ଷା।

ଆଉଟଲାଇନ୍ ଚିତ୍ର

SMJ-TE ଆକ୍ସିଆଲ୍ କ୍ୟାପାସିଟର୍
ଭୋଲଟେଜ୍		Un630V.DC;Urms400Vac;US 945V
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୨୨	32	୯.୫	୧୭.୫	୦.୮	16	23	୩୦୦	66	୫.୩
୦.୩୩	32	12	20	1	13	22	୨୦୦	66	୬.୫
୦.୪୭	32	୧୪.୫	୨୨.୫	1	11	21	୨୨୦	୧୦୩.୪	୮.୩
୦.୬୮	32	18	26	1	10	20	୧୮୦	୧୨୨.୪	୯.୫
1	37	11	19	1	8	28	୧୫୦	୧୫୦	୭.୬
୧.୫	37	୧୩.୫	୨୧.୫	1	7	27	୧୫୦	୨୨୫	୯.୫
2	37	16	24	୧.୨	6	24	୧୩୦	୨୬୦	୧୦.୨
୨.୫	37	18	26	୧.୨	୫.୫	25	୧୨୦	୩୦୦	୧୦.୫
3	37	20	28	୧.୨	5	30	୧୧୦	୩୩୦	୧୦.୮
୩.୩	37	21	29	୧.୨	୪.୫	30	୧୧୦	୩୬୩	୧୧.୨
4	57	27	୩୬.୫	୧.୨	୪.୨	32	୨୨୦	୮୮୦	୧୨.୮
୪.୭	57	28	୪୦.୫	୧.୨	୩.୮	32	୨୦୦	୯୪୦	୧୩.୮
୫.୬	57	31	୩୩.୫	୧.୨	୩.୫	32	୧୮୫	୧୦୩୬	୧୩.୫
୬.୮	37	29	୪୧.୫	୧.୨	୨.୫	28	୧୦୦	୬୮୦	୧୩.୮
୬.୮	57	34	୪୬.୫	୧.୨	୨.୮	30	୧୮୦	୧୨୨୪	୧୪.୨
ଭୋଲଟେଜ୍		୧୦୦୦ ଭୋଲ୍ଟ ଡିସି; ୟୁଆର୍ଏମ୍ଏସ୍ ୫୦୦ ଭୋଲ୍ଟ; ୟୁଏସ୍ ୧୫୦୦ ଭୋଲ୍ଟ
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୧୫	32	10	୧୭.୫	୦.୮	20	20	୧୧୦୦	୧୬୫	୫.୫
୦.୨୨	32	12	20	1	15	21	୧୦୦୦	୨୨୦	୭.୩
୦.୩୩	32	୧୫.୫	23	1	13	21	୧୦୦୦	୩୩୦	୮.୭
୦.୪୭	32	୧୮.୫	26	୧.୨	10	23	୧୦୦୦	୪୭୦	୧୦.୫
୦.୪୭	44	14	22	୧.୨	9	24	୯୦୦	୪୨୩	୯.୫
୦.୬୮	32	20	୩୨.୫	୧.୨	7	25	୯୦୦	୬୧୨	୧୦.୮
୦.୬୮	44	17	25	୧.୨	6	26	୮୦୦	୫୪୪	୧୦.୨
1	44	୨୧.୫	୨୯.୫	୧.୨	୫.୬	27	୯୦୦	୯୦୦	11
୧.୫	44	26	୩୫.୫	୧.୨	5	29	୯୦୦	୧୩୫୦	12
୧.୫	57	21	29	୧.୨	5	30	୭୦୦	୧୦୫୦	୧୨.୨
2	44	28	୪୦.୫	୧.୨	୪.୮	30	୮୦୦	୧୬୦୦	୧୩.୨
2	57	24	୩୩.୫	୧.୨	୪.୮	32	୬୦୦	୧୨୦୦	୧୨.୮
୨.୨	44	30	୪୨.୫	୧.୨	୪.୨	32	୬୦୦	୧୩୨୦	୧୩.୮
୨.୨	57	25	୩୪.୫	୧.୨	୪.୨	32	୫୦୦	୧୧୦୦	୧୩.୫
୨.୫	57	25	38	୧.୨	4	33	୫୦୦	୧୨୫୦	୧୪.୨
3	57	28	୪୦.୫	୧.୨	୩.୫	34	୪୮୦	୧୪୪୦	୧୫.୬
୩.୩	57	୨୯.୫	42	୧.୨	୩.୨	35	୪୫୦	୧୪୮୫	୧୬.୫
୩.୫	57	୩୦.୫	43	୧.୨	୩.୨	35	୪୫୦	୧୫୭୫	୧୭.୨
୪.୭	57	35	୫୦.୫	୧.୨	3	36	୪୨୦	୧୯୭୪	୧୭.୮
୫.୬	57	୩୮.୫	65	୧.୨	୨.୮	38	୪୦୦	୨୨୪୦	୧୮.୨
ଭୋଲଟେଜ୍		ଅଣ 1200V.DC; Urms 550Vac; Us 1800V
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୧	32	୮.୫	16	୦.୮	20	20	୧୩୦୦	୧୩୦	6
୦.୧୫	32	10	୧୭.୫	1	18	20	୧୨୦୦	୧୮୦	୭.୫
୦.୨୨	32	13	21	1	15	22	୧୨୦୦	୨୬୪	୮.୩
୦.୩୩	32	16	24	1	12	23	୧୨୦୦	୩୯୬	9
୦.୪୭	32	୧୭.୫	30	୧.୨	10	23	୧୨୦୦	୫୬୪	୯.୫
୦.୪୭	44	15	23	୧.୨	9	26	୧୧୦୦	୫୧୭	୯.୮
୦.୬୮	32	୨୧.୫	34	୧.୨	8	25	୧୧୦୦	୫୧୭	10
୦.୬୮	44	୧୮.୫	୨୬.୫	୧.୨	6	27	୧୦୦୦	୬୮୦	୧୧.୭
1	44	23	31	୧.୨	5	28	୧୦୦୦	୧୦୦୦	୧୨.୪
୧.୫	44	୨୬.୫	39	୧.୨	5	30	୯୫୦	୧୪୨୫	୧୩.୫
୧.୫	57	୨୨.୫	୩୦.୫	୧.୨	5	29	୯୦୦	୧୩୫୦	୧୨.୬
2	44	29	45	୧.୨	5	30	୮୦୦	୧୬୦୦	୧୪.୨
2	57	୨୬.୫	୩୪.୫	୧.୨	୪.୮	30	୭୫୦	୧୫୦୦	୧୩.୮
୨.୨	44	31	47	୧.୨	୪.୨	32	୮୦୦	୧୭୬୦	୧୪.୫
୨.୨	57	୨୭.୫	୩୫.୫	୧.୨	୪.୨	35	୭୦୦	୧୫୪୦	୧୪.୫
3	57	29	୪୪.୫	୧.୨	୩.୨	37	୫୦୦	୧୫୦୦	୧୭.୨
୩.୩	57	୩୦.୫	46	୧.୨	୩.୨	38	୪୫୦	୧୪୮୫	୧୭.୮
୪.୭	57	38	୫୩.୫	୧.୨	3	38	୪୨୦	୧୯୭୪	୧୮.୨
ଭୋଲଟେଜ୍		ଅନ୍ ୧୭୦୦V.DC; ଉର୍ମସ୍ ୬୦୦Vac; ୟୁଏସ୍ ୨୫୫୦V
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୧	32	୯.୫	୧୭.୫	୦.୮	18	25	୧୩୦୦	୧୩୦	୭.୫
୦.୧୫	32	12	20	1	16	24	୧୨୦୦	୧୮୦	୮.୫
୦.୨୨	32	15	23	1	15	24	୧୨୦୦	୨୬୪	୯.୩
୦.୩୩	32	୧୮.୫	୨୬.୫	1	12	22	୧୨୦୦	୩୯୬	୯.୯
୦.୩୩	44	୧୩.୫	୨୧.୫	୧.୨	12	29	୧୧୦୦	୩୬୩	୧୦.୨
୦.୪୭	44	16	24	୧.୨	9	28	୧୦୦୦	୪୭୦	୧୧.୨
୦.୬୮	44	20	28	୧.୨	8	27	୧୦୦୦	୬୮୦	୧୧.୭
1	44	24	୩୩.୫	୧.୨	୫.୬	26	୯୦୦	୯୦୦	୧୨.୪
1	57	୧୯.୫	୨୭.୫	୧.୨	6	33	୮୫୦	୮୫୦	୧୦.୮
୧.୫	44	28	୪୦.୫	୧.୨	୪.୮	25	୮୦୦	୧୨୦୦	୧୩.୫
୧.୫	57	24	32	୧.୨	5	33	୭୫୦	୧୧୨୫	୧୩.୫
2	44	୩୧.୫	47	୧.୨	୪.୫	24	୭୫୦	୧୫୦୦	୧୪.୨
2	57	୨୭.୫	37	୧.୨	୪.୮	32	୬୫୦	୧୩୦୦	୧୨.୮
୨.୨	44	୩୩.୫	49	୧.୨	୪.୫	34	୭୦୦	୧୫୪୦	୧୫.୬
୨.୨	57	29	40	୧.୨	୪.୨	32	୬୦୦	୧୩୨୦	୧୪.୫
3	57	31	୪୬.୫	୧.୨	4	30	୫୬୦	୧୬୮୦	୧୭.୨
୩.୩	57	33	୪୮.୫	୧.୨	୩.୨	29	୫୦୦	୧୬୫୦	୧୭.୬
4	57	37	୫୨.୫	୧.୨	3	28	୪୫୦	୧୮୦୦	୧୮.୨
ଭୋଲଟେଜ୍		ଅନ୍ ୨୦୦୦V.DC; ୟୁଆର୍ଏମ୍ଏସ୍ ୭୦୦Vac; ୟୁଏସ୍ ୩୦୦୦V
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୦୬୮	32	9	17	୦.୮	25	23	୧୫୦୦	୧୦୨	୬.୯
୦.୧	32	୧୧.୫	୧୯.୫	1	18	22	୧୫୦୦	୧୫୦	୮.୨
୦.୧	37	୧୦.୫	୧୮.୫	1	18	26	୧୪୫୦	୧୪୫	8
୦.୨୨	32	୧୭.୫	୨୫.୫	୧.୨	15	21	୧୪୦୦	୩୦୮	୯.୧
୦.୨୨	37	16	24	୧.୨	15	25	୧୩୦୦	୨୮୬	9
୦.୩୩	37	20	28	୧.୨	12	24	୧୨୫୦	୪୧୨.୫	୯.୫
୦.୩୩	44	18	26	୧.୨	12	30	୧୨୦୦	୩୯୬	୧୦.୨
୦.୪୭	44	୧୯.୫	32	୧.୨	10	29	୧୧୦୦	୫୧୭	୧୨.୪
୦.୬୮	44	24	୩୬.୫	୧.୨	8	28	୧୦୦୦	୬୮୦	୧୪.୨
୦.୬୮	57	୧୮.୫	31	୧.୨	8	27	୯୦୦	୬୧୨	୧୪.୨
1	57	୨୩.୫	36	୧.୨	6	31	୯୫୦	୯୫୦	୧୪.୫
୧.୫	57	୨୯.୫	42	୧.୨	5	31	୮୫୦	୧୨୭୫	୧୪.୫
2	57	33	୪୮.୫	୧.୨	୪.୨	31	୭୫୦	୧୫୦୦	୧୬.୫
୨.୨	57	35	୫୦.୫	୧.୨	4	30	୭୦୦	୧୫୪୦	୧୭.୮
ଭୋଲଟେଜ୍		ଅନ୍ 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
କ୍ଷମତା(uF)	ଲି (ମିମି±1)	ଟି (ମିମି±୧)	ଘ (ମିମି±୧)	φd (ମିମି)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @25℃ @100KHz (A)
୦.୦୪୭	44	୧୩.୫	୨୧.୫	1	22	20	୨୦୦୦	94	୮.୫
୦.୦୬୮	44	17	25	1	20	20	୧୮୦୦	୧୨୨.୪	୧୦.୫
୦.୧	44	୨୦.୫	୨୮.୫	୧.୨	18	20	୧୫୦୦	୧୫୦	୧୨.୪
୦.୧୫	44	26	34	୧.୨	16	22	୧୩୫୦	୨୦୨.୫	୧୩.୮
୦.୨୨	44	29	୪୧.୫	୧.୨	୧୪.୫	22	୧୨୦୦	୨୬୪	୧୪.୫