ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଥିବା ଉନ୍ନତ ଏମ୍ବେଡେଡ୍ PCB କାପାସିଟର

ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଥିବା ଉନ୍ନତ ଏମ୍ବେଡେଡ୍ PCB କ୍ୟାପାସିଟର ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟପୂର୍ଣ୍ଣ ଚିତ୍ର

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

AKMJ-PS ସିରିଜ୍ ପିନ୍ ଟର୍ମିନାଲ ସହିତ ଡିଜାଇନ୍ କରାଯାଇଛି, PCB ବୋର୍ଡରେ ଲଗାଯାଇଛି। AC ଫିଲ୍ଟର ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣରେ ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ।

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ଡାଟା

କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +୧୦୫℃ଉଚ୍ଚ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: +୮୫℃ନିମ୍ନ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: -୪୦℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୩~୫୦μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୨୦୦ଭି.ଏସି~୪୫୦ଭି.ଏସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	2Un DC/10S
ଅପଚୟ କାରକ	ଟଗାδ≤0.0015f=1KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S ରେ)
ଅଗ୍ନିଶିଖା ପ୍ରତିରୋଧ	UL94V-0
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; otsotspot≤70 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	ଆଇଇସି୬୧୦୭୧;
କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା।, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +୧୦୫℃ଉଚ୍ଚ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: +୮୫℃ନିମ୍ନ ବର୍ଗ ତାପମାତ୍ରା: -୪୦℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୩~୫୦μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୨୦୦ଭି.ଏସି~୪୫୦ଭି.ଏସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J) ;±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	2Un DC/10S
ଅପଚୟ କାରକ	ଟଗାδ≤0.0015f=1KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC60S ରେ)
ଅଗ୍ନିଶିଖା ପ୍ରତିରୋଧ	UL94V-0
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; otsotspot≤70 ° C)

ବୈଶିଷ୍ଟ୍ୟ

1. ଶୁଷ୍କ ଫିଲ୍ମ ନିର୍ମାଣ;
2. ଟିନ୍ ହୋଇଥିବା ତମ୍ବା ତାର ସହିତ ଲିଡ୍; ଛୋଟ ଆକାର; ସହଜ ସ୍ଥାପନ;
3. କମ ESL ଏବଂ ESR;
୪. ଉଚ୍ଚ ପଲ୍ସ କରେଣ୍ଟ।

ପ୍ରୟୋଗ

1. ଶକ୍ତି ସଂରକ୍ଷଣକୁ ଫିଲ୍ଟର କରିବା ପାଇଁ DC-ଲିଙ୍କ୍ ସର୍କିଟରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ;
୨. ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟିକ୍ କାପାସିଟରଗୁଡ଼ିକୁ ବଦଳାଇପାରେ, ଉନ୍ନତ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା ଏବଂ ଦୀର୍ଘ ଜୀବନ।
3. ପିଭି ଇନଭର୍ଟର, ପବନ ଶକ୍ତି ପରିବର୍ତ୍ତକ; ସମସ୍ତ ପ୍ରକାରର ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି କନଭର୍ଟର ଏବଂ ଇନଭର୍ଟର ଶକ୍ତି ଯୋଗାଣ;
ବିଶୁଦ୍ଧ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଏବଂ ହାଇବ୍ରିଡ୍ କାର; ଚାର୍ଜିଂ ପାଇଲ୍, UPS, ଇତ୍ୟାଦି।

ଆଉଟଲାଇନ୍ ଚିତ୍ର

ଫଫ୍‌

	(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR @10KHz (mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @୪୦℃ @୧୦KHz (A)
20	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	30	୬୦୦	12
20	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	30	୬୦୦	22
25	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୮	17	୪୨୫	12
25	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୨	17	୪୨୫	22
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୫	17	୫୧୦	12
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୯	17	୫୧୦	22
30	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୮	17	୫୧୦	25
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୩	17	୫୬୧	12
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୭	17	୫୬୧	22
33	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୬	17	୫୬୧	28
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୨	17	୫୯୫	12
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୬	17	୫୯୫	22
35	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୫	17	୫୯୫	30
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		3	17	୬୮୦	12
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୪	17	୬୮୦	22
40	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୩	17	୬୮୦	30
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫		୨.୮	17	୭୬୫	12
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୩	17	୭୬୫	22
45	୫୭.୫	38	54	୧.୦	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୨	17	୭୬୫	32
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫		୨.୭	17	୮୫୦	12
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୨	17	୮୫୦	22
50	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୧	17	୮୫୦	32

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ ୪୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଡିସି,ୟୁଆରଏମଏସ୨୫୦ ଭୋଲ୍ଟ;ୟୁଏସ୮୦୦ ଭୋଲ୍ଟ
	(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
10	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫		୨.୬	40	୪୦୦	12
10	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	2	40	୪୦୦	23
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	40	୬୦୦	28
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	40	୬୦୦	28
15	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୭	40	୬୦୦	28
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୨	40	୭୨୦	15
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୭	40	୭୨୦	15
18	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୬	40	୭୨୦	15
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୫	20	୪୦୦	25
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୯	20	୪୦୦	25
20	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୮	20	୪୦୦	25
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୪	20	୫୦୦	28
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୮	20	୫୦୦	28
25	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୭	20	୫୦୦	28
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫		୩.୨	20	୬୦୦	25
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୭	20	୬୦୦	25
30	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୬	20	୬୦୦	25

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ 600V.DC,Urms330Vac;Us1200V
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
5	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫		୩.୧	55	୨୭୫	12
5	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୫	55	୨୭୫	20
୬.୮	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	55	୩୭୪	12
୬.୮	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୩୭୪	22
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୬	55	୪୯୫	12
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୪୯୫	22
9	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୯	55	୪୯୫	28
10	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୪.୨	30	୩୦୦	22
10	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୭	30	୩୦୦	25
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୬	30	୪୫୦	12
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୮	30	୪୫୦	20
15	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୭	30	୪୫୦	28

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ ୭୦୦ ଭୋଲ୍ଟ।ଡିସି,ୟୁଆରଏମଏସ୪୦୦ ଭ୍ୟାକ୍;ୟୁଏସ୧୪୦୦ ଭ୍ୟାକ୍
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୪.୭	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		3	70	୩୨୯	12
୪.୭	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୪	70	୩୨୯	22
5	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୯	70	୩୫୦	12
5	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୩	70	୩୫୦	22
6	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	70	୪୨୦	12
6	୪୨.୫	33	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୨.୨	70	୪୨୦	22
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୪.୨	40	୩୨୦	12
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୬	40	୩୨୦	22
8	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୩.୫	40	୩୨୦	28
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୩.୯	40	୪୦୦	12
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୩	40	୪୦୦	22
10	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୩.୨	40	୪୦୦	30
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫		୩.୬	40	୬୦୦	12
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୩.୧	40	୬୦୦	22
15	୫୭.୫	38	54	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	3	40	୬୦୦	30

ଭୋଲଟେଜ୍			ଅନ୍ 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
		(ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	φଦି	P1	P2	ESR(mΩ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୪	୧୧୦	୩୩୦	12
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୮	୧୧୦	୩୩୦	22
3	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୭	୧୧୦	୩୩୦	25
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫		୨.୩	୧୧୦	୩୬୩	12
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୭	୧୧୦	୩୬୩	22
୩.୩	୪୨.୫	30	45	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୬	୧୧୦	୩୬୩	28
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		୩.୧	55	୨୨୦	12
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୫	55	୨୨୦	22
4	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୪	55	୨୨୦	28
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫		3	55	୨୫୮.୫	12
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୪	55	୨୫୮.୫	22
୪.୭	୫୭.୫	30	45	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୩	55	୨୫୮.୫	30
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫		୨.୯	55	୩୦୮	12
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୨୦.୩	୨.୨	55	୩୦୮	22
୫.୬	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୫୨.୫	୧୦.୨	୨.୨	55	୩୦୮	31
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫		୨.୮	55	୩୩୦	12
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୫	୨.୧	55	୩୩୦	22
6	୫୭.୫	35	50	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	2	55	୩୩୦	32
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫		୨.୫	55	୩୭୪	12
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫	୨୦.୩	୧.୯	55	୩୭୪	22
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୧.୨	୩୭.୫	୧୦.୨	୧.୮	55	୩୭୪	32