ଏସି ଫିଲ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ୨୦୧୮ ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତାର ପାୱାର କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ଶ୍ରେଣୀର IGBT ସ୍ନୁବର କାପାସିଟର ଡିଜାଇନ୍ - CRE

ଏସି ଫିଲ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ୨୦୧୮ ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତାର ପାୱାର କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ଶ୍ରେଣୀର IGBT ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର ଡିଜାଇନ୍ - CRE ଫିଚର୍ଡ୍ ଇମେଜ୍

ସଂକ୍ଷିପ୍ତ ବର୍ଣ୍ଣନା:

ଆମକୁ ଇମେଲ୍ ପଠାନ୍ତୁ PDF ଭାବରେ ଡାଉନଲୋଡ୍ କରନ୍ତୁ

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ

ଉତ୍ପାଦ ଟ୍ୟାଗ୍‌ଗୁଡ଼ିକ

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଭିଡିଓ

ମତାମତ (2)

ଆମେ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଏବଂ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ହେବା ପାଇଁ ସମସ୍ତ ପ୍ରୟାସ ଏବଂ କଠିନ ପରିଶ୍ରମ କରିବୁ, ଏବଂ ଆନ୍ତଃମହାଦେଶୀୟ ଶୀର୍ଷ-ଗ୍ରେଡ୍ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ-ପ୍ରଯୁକ୍ତି ଉଦ୍ୟୋଗ ମଧ୍ୟରେ ଠିଆ ହେବା ପାଇଁ ଆମର ପଦକ୍ଷେପଗୁଡ଼ିକୁ ତ୍ୱରାନ୍ୱିତ କରିବୁଟ୍ୟୁଣ୍ଡ୍ ପ୍ୟାସିଭ୍ ଫିଲ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର , ଆଲୁମିନିୟମ୍ କ୍ୟାନ୍ କ୍ୟାପାସିଟର୍ , ଉଚ୍ଚ କ୍ଷମତା ସମ୍ପନ୍ନ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର, ଆମେ ସମଗ୍ର ବିଶ୍ୱର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଆମକୁ ଭେଟିବା ପାଇଁ ଆନ୍ତରିକ ଭାବରେ ସ୍ୱାଗତ କରୁଛୁ, ଆମର ବହୁମୁଖୀ ସହଯୋଗ ସହିତ ଏବଂ ନୂତନ ବଜାର ବିକାଶ କରିବା ପାଇଁ, ବିଜୟ-ଜୟ ଉତ୍କୃଷ୍ଟ ଭବିଷ୍ୟତ ଗଠନ କରିବା ପାଇଁ ପରସ୍ପର ସହିତ କାମ କରିବା ପାଇଁ।

୨୦୧୮ରେ ଏସି ଫିଲ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତାର ପାୱାର କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ଶ୍ରେଣୀର IGBT ସ୍ନୁବର କାପାସିଟର ଡିଜାଇନ୍ - CRE ବିବରଣୀ:

ଟେକ୍ନିକାଲ୍ ଡାଟା

କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା ପରିସର	ସର୍ବାଧିକ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷମ ତାପମାତ୍ରା, ଶୀର୍ଷ, ସର୍ବାଧିକ: +୧୦୫℃ ଉପର ବର୍ଗର ତାପମାତ୍ରା: +୮୫ ℃ ନିମ୍ନ ବର୍ଗର ତାପମାତ୍ରା: -୪୦ ℃
କାପାସିଟାନ୍ସ ପରିସର	୦.୧μF~୫.୬μF
ମୂଲ୍ୟାଙ୍କିତ ଭୋଲଟେଜ	୭୦୦ଭି.ଡିସି~୩୦୦୦ଭି.ଡିସି
କ୍ୟାପଟୋଲ	±5%(J);±10%(K)
ଭୋଲଟେଜ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	୧.୫ୟୁଏନ୍ ଡିସି/୧୦ଏସ୍
ଅପଚୟ କାରକ	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
ଇନସୁଲେସନ ପ୍ରତିରୋଧ	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S ରେ) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S ରେ)
ଷ୍ଟ୍ରାଇକ୍ କରେଣ୍ଟ ସହ୍ୟ କରନ୍ତୁ	ଡାଟାସିଟ୍ ଦେଖନ୍ତୁ
ଅଗ୍ନିଶିଖା ପ୍ରତିରୋଧ	UL94V-0
ଜୀବନକାଳ	100000h (Un; othotspot≤85 ° C)
ସନ୍ଦର୍ଭ ମାନକ	IEC61071; ଜିବି/ଟି୧୭୭୦୨;

ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ସାରଣୀ

ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୭୦୦V.DC,Urms୪୦୦Vac;Us୧୦୫୦V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି (ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	ଇର୍ମସ୍ @୪୦℃ @୧୦୦KHz (A)
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୫୦୦	୨୩୫	8
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	25	୪୮୦	୩୨୬.୪	10
1	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	24	୪୫୦	୪୫୦	12
୧.୫	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	25	୪୩୦	୬୪୫	5
2	୪୨.୫	33	୩୫.୫	6	24	୪୨୦	୮୪୦	15
୨.୫	୪୨.୫	33	45	6	23	୪୦୦	୧୦୦୦	18
3	୪୨.୫	33	45	୫.୫	22	୩୮୦	୧୧୪୦	20
3	୫୭.୫	30	45	5	26	୩୫୦	୧୦୫୦	22
୩.୫	୪୨.୫	33	45	5	23	୩୫୦	୧୨୨୫	25
୩.୫	୫୭.୫	30	45	6	25	୩୦୦	୧୦୫୦	22
୪.୭	୫୭.୫	35	50	5	28	୨୮୦	୧୩୧୬	25
୫.୬	୫୭.୫	38	54	4	30	୨୫୦	୧୪୦୦	25
6	୫୭.୫	38	54	୩.୫	33	୨୩୦	୧୩୮୦	28
୬.୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	32	୨୨୦	୧୪୯୬	32
8	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	30	୨୦୦	୧୬୦୦	33
ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1000V.DC, Urms500Vac; Us1500V
	ଆକାର (ମିମି)
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	25	୧୦୦୦	୪୭୦	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	8	25	୮୦୦	୫୪୪	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	24	୮୦୦	୮୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	24	୭୦୦	୧୦୫୦	15
2	୪୨.୫	33	45	5	22	୭୦୦	୧୪୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	30	45	5	30	୬୦୦	୧୫୦୦	22
3	୫୭.୫	35	50	4	30	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	35	50	୩.୫	28	୫୫୦	୧୮୧୫	25
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	28	୫୦୦	୧୭୫୦	25
4	୫୭.୫	38	54	୩.୨	26	୫୦୦	୨୦୦୦	28
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	3	25	୪୨୦	୧୯୭୪	30
୫.୬	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୨.୮	24	୪୦୦	୨୨୪୦	32
ଭୋଲଟେଜ୍	ଅଣ 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	11	24	୧୨୦୦	୫୬୪	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	7	23	୧୧୦୦	୭୪୮	12
1	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	6	22	୮୦୦	୮୦୦	14
୧.୫	୪୨.୫	33	45	5	20	୮୦୦	୧୨୦୦	15
2	୫୭.୫	30	45	4	30	୭୫୦	୧୫୦୦	20
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୭୦୦	୧୭୫୦	25
3	୫୭.୫	35	50	4	27	୬୦୦	୧୮୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	4	27	୫୫୦	୧୮୧୫	28
୩.୫	୫୭.୫	38	54	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	28
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୪୫୦	୧୮୦୦	30
୪.୭	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	23	୪୨୦	୧୯୭୪	32
ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୧୭୦୦V.DC,Urms୫୭୫Vac;Us୨୨୫୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୩୩	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	12	25	୧୩୦୦	୪୨୯	9
୦.୪୭	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	10	24	୧୩୦୦	୬୧୧	10
୦.୬୮	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	8	23	୧୩୦୦	୮୮୪	12
1	୪୨.୫	33	45	7	22	୧୨୦୦	୧୨୦୦	15
୧.୫	୪୨.୫	33	45	6	22	୧୨୦୦	୧୮୦୦	18
୧.୫	୫୭.୫	30	45	5	31	୧୨୦୦	୧୮୦୦	20
2	୫୭.୫	30	45	5	30	୧୧୦୦	୨୨୦୦	22
୨.୫	୫୭.୫	35	50	4	28	୧୧୦୦	୨୭୫୦	25
3	୫୭.୫	38	54	4	27	୭୦୦	୨୧୦୦	25
୩.୩	୫୭.୫	38	54	୩.୮	26	୬୦୦	୧୯୮୦	28
୩.୫	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୫	25	୫୦୦	୧୭୫୦	30
4	୫୭.୫	୪୨.୫	56	୩.୨	25	୪୫୦	୧୮୦୦	32
ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ ୨୦୦୦V.DC,Urms୭୦୦Vac;Us୩୦୦୦V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୨୨	୪୨.୫	୨୪.୫	୨୭.୫	15	25	୧୫୦୦	୩୩୦	10
୦.୩୩	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	12	24	୧୫୦୦	୪୯୫	12
୦.୪୭	୪୨.୫	୩୩.୫	୩୫.୫	11	23	୧୪୦୦	୬୫୮	15
୦.୬୮	୪୨.୫	33	45	8	22	୧୨୦୦	୮୧୬	18
୦.୬୮	୫୭.୫	30	45	7	30	୧୧୦୦	୭୪୮	20
୦.୮୨	୪୨.୫	33	45	7	28	୧୨୦୦	୯୮୪	22
1	୫୭.୫	30	45	6	28	୧୧୦୦	୧୧୦୦	25
୧.୫	୫୭.୫	35	50	5	25	୧୦୦୦	୧୫୦୦	28
2	୫୭.୫	38	54	5	24	୮୦୦	୧୬୦୦	28
୨.୨	୫୭.୫	୪୨.୫	56	4	23	୭୦୦	୧୫୪୦	32
ଭୋଲଟେଜ୍	ଅନ୍ 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	ଲ(±1)	ଟି(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ଇଏସଏଲ(ଏନଏଚ)	ଡିଭି/ଡିଟି(ଭି/μS)	ଆଇପିକେ(ଏ)	କାର୍ଯ୍ୟଗୁଡ଼ିକ
୦.୧୫	୪୨.୫	33	45	18	28	୨୫୦୦	୩୭୫	25
୦.୨୨	୪୨.୫	33	45	15	27	୨୨୦୦	୪୮୪	28
୦.୨୨	୫୭.୫	35	50	15	25	୨୦୦୦	୩୩୦	20
୦.୩୩	୫୭.୫	35	50	12	24	୧୮୦୦	୪୯୫	20
୦.୪୭	୫୭.୫	38	54	11	23	୧୬୦୦	୭୫୨	22
୦.୬୮	୫୭.୫	୪୨.୫	56	8	22	୧୫୦୦	୧୦୨୦	28

ଉତ୍ପାଦ ବିବରଣୀ ଚିତ୍ର:

ସମ୍ବନ୍ଧିତ ଉତ୍ପାଦ ଗାଇଡ୍:

କଠୋର ଉଚ୍ଚ-ଗୁଣବତ୍ତା ପରିଚାଳନା ଏବଂ ବିଚାରଶୀଳ କ୍ରେତା ସମର୍ଥନ ପାଇଁ ଉତ୍ସର୍ଗୀକୃତ, ଆମର ଅଭିଜ୍ଞ କର୍ମଚାରୀ ସଦସ୍ୟମାନେ ସାଧାରଣତଃ ଆପଣଙ୍କ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟକରଣ ବିଷୟରେ ଆଲୋଚନା କରିବାକୁ ଏବଂ ୨୦୧୮ ପାଇଁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ କ୍ରେତା ସନ୍ତୁଷ୍ଟି ନିଶ୍ଚିତ କରିବାକୁ ଉପଲବ୍ଧ ଥାଆନ୍ତି ଏସି ଫିଲ୍ଟରିଂ ପାଇଁ ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତା ପାୱାର କ୍ୟାପାସିଟର - ଉଚ୍ଚ ଶକ୍ତି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ-ଶ୍ରେଣୀର IGBT ସ୍ନୁବର କ୍ୟାପାସିଟର ଡିଜାଇନ୍ - CRE, ଏହି ଉତ୍ପାଦ ସାରା ବିଶ୍ୱକୁ ଯୋଗାଣ କରିବ, ଯେପରିକି: ମାସିଡୋନିଆ, ମସ୍କଟ, ୟେମେନ୍, ନମୁନା କିମ୍ବା ଚିତ୍ରାଙ୍କନ ଅନୁସାରେ ଉତ୍ପାଦ ଉତ୍ପାଦନ କରିବାରେ ଆମର ଯଥେଷ୍ଟ ଅଭିଜ୍ଞତା ଅଛି। ଆମେ ଦେଶ ଏବଂ ବିଦେଶର ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ଆମ କମ୍ପାନୀକୁ ପରିଦର୍ଶନ କରିବାକୁ ଏବଂ ଏକ ସୁନ୍ଦର ଭବିଷ୍ୟତ ପାଇଁ ଆମ ସହିତ ସହଯୋଗ କରିବାକୁ ସ୍ୱାଗତ କରୁ।

ଏସି ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

କଷ୍ଟମ୍-ଡିଜାଇନ୍ ହୋଇଥିବା ଏସି କ୍ୟାପାସିଟର

ନବୀକରଣୀୟ ଶକ୍ତି ପ୍ରଣାଳୀ ପାଇଁ ଡିସି-ଲିଙ୍କ୍ କ୍ୟାପାସିଟର

ଏକ୍ସ-ରେ ଡିଟେକ୍ଟର ପାଇଁ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ହାରମୋନିକ୍ ରେଜୋନାନ୍ସ କ୍ୟାପାସିଟର

ଟେସଲା କଏଲ ପାଇଁ ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ କ୍ୟାପାସିଟର

ଉଚ୍ଚ ଭୋଲଟେଜ ଡିସି କ୍ୟାପାସିଟର

ବିକ୍ରୟ ପାଇଁ ଶିଳ୍ପ କ୍ୟାପାସିଟରଗୁଡିକ

ରେଡିଆଲ୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ସ୍ନୁବର୍ ଫିଲ୍ମ କ୍ୟାପାସିଟର

ଭଲ ଗୁଣବତ୍ତା, ସୁଲଭ ମୂଲ୍ୟ, ସମୃଦ୍ଧ ବିବିଧତା ଏବଂ ଉତ୍ତମ ବିକ୍ରୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ସେବା, ଏହା ଭଲ!

ସ୍ୱିଡେନରୁ ମ୍ୟାରୀଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - 2018.08.12 12:27

କମ୍ପାନୀ ଆକାଉଣ୍ଟ୍ ପରିଚାଳକଙ୍କ ପାଖରେ ଶିଳ୍ପ ଜ୍ଞାନ ଏବଂ ଅଭିଜ୍ଞତାର ଭଣ୍ଡାର ଅଛି, ସେ ଆମର ଆବଶ୍ୟକତା ଅନୁଯାୟୀ ଉପଯୁକ୍ତ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ରମ ପ୍ରଦାନ କରିପାରିବେ ଏବଂ ଇଂରାଜୀରେ ଅନର୍ଗଳ କହିପାରିବେ।

ସେଚେଲ୍ସରୁ ହେନରୀ ଷ୍ଟୋକେଲ୍ଡଙ୍କ ଦ୍ୱାରା - 2017.08.28 16:02